نخستین تراشه ۵ نانومتری مدیاتک با نام Dimensity 2000 در سال ۲۰۲۲ عرضه می‌شود

نخستین تراشه 5 نانومتری شرکت مدیاتک احتمالا 1 سال دیگر روانه بازار خواهد شد. بر اساس پیش‌بینی‌ها این کمپانی در روز چهارشنبه پیش رو از تراشه‌های جدید خود با اسامی Dimensity 1200 و Dimensity 1100 رونمایی خواهد کرد؛ اما این تراشه‌ها بر پایه فرآیند 6 نانومتری تولید می‌شوند. بر اساس نقشه راهی که توسط یک شخص خبرچین با شناسه Digital Chat Station منتشر شده است؛ این تراشه‌های 6 نانومتری در وهله نخست توسط کمپانی‌های اوپو و ویوو مورد بهره‌برداری قرار می‌گیرند (اگرچه مقامات ردمی نیز در اظهارات خود به این موضوع اشاره نموده‌اند).

محصول بزرگ آینده مدیاتک در 3 ماهه نخست سال آینده معرفی خواهد شد.در آن مقطع زمانی کمپانی از تراشه 5 نانومتری Dimensity 2000 رونمایی خواهد کرد. این‌بار نیز شرکت‌های اوپو و ویوو در صف مشتریان خریدار این تراشه قرار دارند؛ اما بر اساس پیش‌بینی‌ها آنر نیز یکی از مشتریان بالقوه نیمه‌هادی مذکور به‌شمار خواهد رفت (با معرفی سری آنر V40 مجهز به تراشه +Dimensity 1000 عصر پسا-کایرین به‌زودی آغاز خواهد شد).

Dimensity 2000 احتمالا به نخستین تراشه ساخت مدیاتک مجهز به هسته بسیار کارآمد کورتکس X تبدیل خواهد شد. بدین‌ترتیب این تراشه مشخصا از هسته‌ کورتکس X2، هسته‌های پردازشی بزرگ کورتکس A79 و هسته‌های گرافیکی Mali-G79 استفاده خواهد کرد. هیچ‌کدام از هسته‌های پردازشی فوق هنوز توسط کمپانی ARM معرفی نشده‌اند. همچنین بایستی خاطرنشان کرد که CPU تراشه Dimensity 1200 ظاهرا بر پایه هسته کورتکس A78 طراحی شده است.

کورتکس A79 احتمالا همان هسته Matterhorn است که احتمالا در سال جاری رونمایی می‌شود. اختلاف موجود میان عملکرد این هسته و کورتکس A78 احتمالا ناچیز است؛ اما کارآیی آن نسبت به یک هسته قدیمی نظیر کورتکس A73 بسیار چشمگیر بوده و حدودا 2.5 برابر بیش‌تر است). همچنین هسته پردازشی Matterhorn مجهز به سخت‌افزاری جهت تشخیص نواقص امنیتی حافظه بوده و این قابلیت تنها موضوعی است که ما هم‌اکنون از آن اطلاع داریم.

معماری نسل بعدی Makalu نام دارد. عملکرد این معماری در مقایسه با کورتکس A78 احتمالا 30 درصد سریع‌تر خواهد بود. هنوز مشخص نیست که آیا این هسته از نوع کورتکس X2 خواهد بود یا خیر؛ اما احتمالا این‌طور نیست؛ چرا که تولید انبوه این معماری احتمالا تا سال 2023 آغاز نخواهد شد. یک نکته جالب‌توجه در خصوص Makalu اینکه معماری مذکور پشتیبانی از برنامه‌های 32 بیتی را متوقف نموده و منحصرا نرم‌افزارهای 64 بیتی را اجرا خواهد کرد.

ضمن برگزاری رویداد روز چهارشنبه شرکت مدیاتک احتمالا جزئیات بیش‌تری پیرامون برنامه‌های آینده کمپانی اعلام خواهد شد. در این مراسم حتی در صورت عدم اشاره به تراشه Dimensity 2000 نیز کماکان شاهد معرفی تراشه‌های Dimensity 1200 و Dimensity 1100 خواهیم بود.

نوشته نخستین تراشه 5 نانومتری مدیاتک با نام Dimensity 2000 در سال 2022 عرضه می‌شود اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

سامسونگ از نخستین تراشه ۵ نانومتری خود با نام اگزینوس ۱۰۸۰ رسما رونمایی کرد

حدودا یک هفته پیش کمپانی سامسونگ رسما تائید کرد که تراشه اگزینوس 1080 در روز 12 نوامبر (22 آبان ماه) عرضه خواهد شد. غول کره‌ای در جریان کنفرانس امروز خود از تراشه اگزینوس 1080 رسما رونمایی کرد. بر اساس اعلام سامسونگ تراشه‌های اگزینوس همواره به‌عنوان یک برند پیشتاز در صنعت تولید نیمه‌هادی نقش‌آفرینی کرده‌اند. این شرکت همواره بر فلسفه همکاری مبنی بر توسعه عملکرد و بهره‌وری جهت تولید محصولات برتر برای مشتریان تمرکز دارد. اکنون تراشه اگزینوس 1080 با محوریت شعار “نسلی جدید؛ تجربه پرچم‌دار” عرضه شده است.

آقای CY Lee؛ معاون ارشد واحد بازاریابی نیمه‌هادی سامسونگ موسوم به S.LSI آغازگر رویداد بزرگ کمپانی بود. غول کره‌ای مشخصا از شرکت ویوو به‌عنوان یک شریک راهبردی یاد کرد. این موضوع نشان می‌دهد که ویوو نخستین شرکتی است که از این تراشه بهره‌برداری خواهد کرد.

جزئیات رسمی پیرامون تراشه اگزینوس 1080

اکنون تراشه اگزینوس 1080 مجهز به پردازنده‌ای با معماری جدید است. این تراشه با استفاده از فرآیند 5 نانومتری EUV و بر پایه معماری 4+3+1 هسته‌ای تولید شده است. این تراشه مجهز به 1 هسته غول‌پیکر کورتکس A78 با حداکثر فرکانس 2.8 گیگاهرتز، 3 هسته کورتکس A78 با فرکانس 2.6 گیگاهرتز برای امور پردازشی متعادل و 4 هسته کورتکس A55 با فرکانس 2.0 گیگاهرتز و بهره‌وری انرژی بالا است. این تراشه همچنین از حالت دوگانه شبکه 5G موج میلی‌متری پشتیبانی می‌کند. عملکرد این تراشه در زمینه پردازش تک هسته‌ای حدودا 50 درصد ارتقاء یافته است؛ در حالی‌که کارآیی آن در زمینه پردازش چندهسته‌ای تقریبا 2 برابر شده است.

اگزینوس 1080 نخستین پردازنده موبایلی سامسونگ است که از پیشرفته‌ترین فناوری تولید 5 نانومتری موسوم به EUV FinFET بهره می‌گیرد. این تراشه مجهز به جدیدترین ماژول 5G سامسونگ بوده و از دانلود داده با حداکثر سرعت 5.1 گیگابیت برثانیه پشتیبانی می‌کند. در عین‌حال این تراشه از باند فرکانسی کمتر از 6 گیگاهرتز و باند فرکانسی موج میلی‌متری نیز پشتیبانی خواهد کرد. بعلاوه تراشه اگزینوس 1080 از اتصال وای‌فای 6 و بلوتوث 5.2 برخوردار است. این مشخصات موجب بهبود قابلیت‌های ارتباطی اسمارت‌فون‌ها خواهند شد.

سامسونگ به منظور ایجاد امکان عکاسی هوشمندانه‌تر در گوشی‌های موبایلی، پردازنده سیگنال تصویری (ISP) تراشه اگزینوس 1080 را به فناوری هوش مصنوعی مجهز نموده است. اکنون این ISP با کارآیی بالای خود از حسگرهای دوربین با حداکثر رزولوشن 200 مگاپیکسلی و حداکثر 6 سنسور دوربین پشتیبانی می‌کند. بعلاوه این تراشه از قابلیت عکاسی با عمق رنگ معمول 10 بیتی و ویرایش مستقیم ویدیوهای +HDR10 پشتیبانی خواهد کرد.

تراشه اگزینوس 1080 از پردازنده گرافیکی Mali-G78 ساخت شرکت ARM بهره می‌گیرد. بر اساس استاندارد تست بنچمارک Manhattan v3 عملکرد کلی GPU حدودا 2.3 برابر افزایش یافته است. همچنین توسعه انحصاری برنامه توزیع انرژی موسوم به Amigo موجب دوام هرچه بیش‌تر تجربه گیمینگ با کارآیی بالا خواهد شد.

تراشه‌های اگزینوس کماکان به دنباله‌روی از شعار “از هسته تا آینده” ادامه خواهند داد. سامسونگ نیز به منظور خلق تجربه برتر و پربارتر کماکان به توسعه فناوری‌ها و محصولات جدید ادامه خواهد داد.

نوشته سامسونگ از نخستین تراشه 5 نانومتری خود با نام اگزینوس 1080 رسما رونمایی کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

سامسونگ از نخستین تراشه ۵ نانومتری خود با نام اگزینوس ۱۰۸۰ رسما رونمایی کرد

حدودا یک هفته پیش کمپانی سامسونگ رسما تائید کرد که تراشه اگزینوس 1080 در روز 12 نوامبر (22 آبان ماه) عرضه خواهد شد. غول کره‌ای در جریان کنفرانس امروز خود از تراشه اگزینوس 1080 رسما رونمایی کرد. بر اساس اعلام سامسونگ تراشه‌های اگزینوس همواره به‌عنوان یک برند پیشتاز در صنعت تولید نیمه‌هادی نقش‌آفرینی کرده‌اند. این شرکت همواره بر فلسفه همکاری مبنی بر توسعه عملکرد و بهره‌وری جهت تولید محصولات برتر برای مشتریان تمرکز دارد. اکنون تراشه اگزینوس 1080 با محوریت شعار “نسلی جدید؛ تجربه پرچم‌دار” عرضه شده است.

آقای CY Lee؛ معاون ارشد واحد بازاریابی نیمه‌هادی سامسونگ موسوم به S.LSI آغازگر رویداد بزرگ کمپانی بود. غول کره‌ای مشخصا از شرکت ویوو به‌عنوان یک شریک راهبردی یاد کرد. این موضوع نشان می‌دهد که ویوو نخستین شرکتی است که از این تراشه بهره‌برداری خواهد کرد.

جزئیات رسمی پیرامون تراشه اگزینوس 1080

اکنون تراشه اگزینوس 1080 مجهز به پردازنده‌ای با معماری جدید است. این تراشه با استفاده از فرآیند 5 نانومتری EUV و بر پایه معماری 4+3+1 هسته‌ای تولید شده است. این تراشه مجهز به 1 هسته غول‌پیکر کورتکس A78 با حداکثر فرکانس 2.8 گیگاهرتز، 3 هسته کورتکس A78 با فرکانس 2.6 گیگاهرتز برای امور پردازشی متعادل و 4 هسته کورتکس A55 با فرکانس 2.0 گیگاهرتز و بهره‌وری انرژی بالا است. این تراشه همچنین از حالت دوگانه شبکه 5G موج میلی‌متری پشتیبانی می‌کند. عملکرد این تراشه در زمینه پردازش تک هسته‌ای حدودا 50 درصد ارتقاء یافته است؛ در حالی‌که کارآیی آن در زمینه پردازش چندهسته‌ای تقریبا 2 برابر شده است.

اگزینوس 1080 نخستین پردازنده موبایلی سامسونگ است که از پیشرفته‌ترین فناوری تولید 5 نانومتری موسوم به EUV FinFET بهره می‌گیرد. این تراشه مجهز به جدیدترین ماژول 5G سامسونگ بوده و از دانلود داده با حداکثر سرعت 5.1 گیگابیت برثانیه پشتیبانی می‌کند. در عین‌حال این تراشه از باند فرکانسی کمتر از 6 گیگاهرتز و باند فرکانسی موج میلی‌متری نیز پشتیبانی خواهد کرد. بعلاوه تراشه اگزینوس 1080 از اتصال وای‌فای 6 و بلوتوث 5.2 برخوردار است. این مشخصات موجب بهبود قابلیت‌های ارتباطی اسمارت‌فون‌ها خواهند شد.

سامسونگ به منظور ایجاد امکان عکاسی هوشمندانه‌تر در گوشی‌های موبایلی، پردازنده سیگنال تصویری (ISP) تراشه اگزینوس 1080 را به فناوری هوش مصنوعی مجهز نموده است. اکنون این ISP با کارآیی بالای خود از حسگرهای دوربین با حداکثر رزولوشن 200 مگاپیکسلی و حداکثر 6 سنسور دوربین پشتیبانی می‌کند. بعلاوه این تراشه از قابلیت عکاسی با عمق رنگ معمول 10 بیتی و ویرایش مستقیم ویدیوهای +HDR10 پشتیبانی خواهد کرد.

تراشه اگزینوس 1080 از پردازنده گرافیکی Mali-G78 ساخت شرکت ARM بهره می‌گیرد. بر اساس استاندارد تست بنچمارک Manhattan v3 عملکرد کلی GPU حدودا 2.3 برابر افزایش یافته است. همچنین توسعه انحصاری برنامه توزیع انرژی موسوم به Amigo موجب دوام هرچه بیش‌تر تجربه گیمینگ با کارآیی بالا خواهد شد.

تراشه‌های اگزینوس کماکان به دنباله‌روی از شعار “از هسته تا آینده” ادامه خواهند داد. سامسونگ نیز به منظور خلق تجربه برتر و پربارتر کماکان به توسعه فناوری‌ها و محصولات جدید ادامه خواهد داد.

نوشته سامسونگ از نخستین تراشه 5 نانومتری خود با نام اگزینوس 1080 رسما رونمایی کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

تراشه ۵ نانومتری اگزینوس ۱۰۸۰ شرکت سامسونگ به‌زودی معرفی خواهد شد

کمپانی سامسونگ در تدارک معرفی چند تراشه جدید طی ماه‌های پیش رو است. این تراشه‌ها در واقع قلب تپنده هندست‌های بی‌شماری هستند که در سال 2021 روانه بازار می‌شوند. اکنون مدتی است که اخبار مربوط به تراشه اگزینوس 1080 از گوشه و کنار به گوش می‌رسد. چند هفته پیش سامسونگ نیز موجودیت این تراشه را موردتائید قرار داد. اکنون غول کره‌ای زمان رونمایی از تراشه اگزینوس 1080 را اعلام نموده است. اگرچه این نیمه‌هادی در خانواده پردازنده‌های با کارآیی بالا طبقه‌بندی می‌شود؛ اما اسمارت‌فون‌های سری گلکسی S21 سامسونگ از تراشه اگزینوس 1080 بهره‌برداری نخواهند کرد.

تراشه اگزینوس 1080 سامسونگ ظاهرا محصولی کاملا قدرتمند به‌شمار می‌رود

چند هفته پیش شرکت سامسونگ تائید کرد که تراشه اگزینوس 1080 مجهز به جدیدترین هسته‌های پردازشی کورتکس A78 و پردازنده گرافیکی Mali-G78 خواهد بود. بر اساس اعلام کمپانی ARM کارآیی هسته‌های پردازشی کورتکس A78 در مقایسه با کورتکس A77 حدودا 20 درصد افزایش یافته است. همچنین این پردازنده 5 نانومتری مجهز به یک مودم 5G داخلی خواهد بود.

نتایج اولیه بنچمارک تراشه اگزینوس 1080 نیز کاملا امیدوارکننده به‌نظر می‌رسند. این تراشه اخیرا با کسب امتیاز 693600 در پایگاه داده AnTuTu رویت شد. بدین‌ترتیب تراشه جدید سامسونگ به لحاظ امتیاز کسب شده از تراشه‌های پرچم‌دار اسنپ‌دراگون 865 و اسنپ‌دراگون 865 پلاس پیشی گرفته است. به باور اکثر کارشناسان تراشه اگزینوس 1080 به‌عنوان مدل جانشین اگزینوس 980 روانه بازار می‌شود. تراشه اگزینوس 980 با قابلیت پشتیبانی از اتصال 5G سال گذشته برای اسمارت‌فون‌های میان‌رده معرفی شد. این نیمه‌هادی در 2 اسمارت‌فون گلکسی A51 5G و گلکسی A71 5G مورد استفاده قرار گرفت. با این‌حال طی هفته جاری به موجودیت تراشه اگزینوس 981 نیز اشاره شده است. سامسونگ تاکنون در خصوص این تراشه هیچ اظهارنظری نکرده است. هنوز مشخص نیست که تراشه اگزینوس 981 در چه طیفی از محصولات نیمه‌هادی سامسونگ برای سال 2021 طبقه‌بندی خواهد شد.

شرکت سامسونگ از طریق حساب‌کاربری رسمی خود در شبکه اجتماعی Weibo تائید کرده که تراشه اگزینوس 1080 در روز 12 نوامبر (22 آبان ماه) رسما معرفی خواهد شد. کنفرانس مطبوعاتی مربوط به این رویداد در شهر شانگهای چین برگزار می‌شود. در جریان این مراسم به کلیه جزئیات فنی تراشه جدید اشاره خواهد شد. سامسونگ احتمالا هویت دستگاه‌های استفاده‌کننده از این تراشه را سریعا تائید نخواهد کرد. این اطلاعات نیز احتمالا در موعد زمانی مقرر اعلام خواهند شد.

نوشته تراشه 5 نانومتری اگزینوس 1080 شرکت سامسونگ به‌زودی معرفی خواهد شد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

عرضه انبوه تراشه ۵ نانومتری کایرین ۱۰۲۰ در ماه آگوست آغاز می‌شود

پیش‌تر شرکت هواوی از تولید تراشه پرچم‌دار نسل آینده خود با نام کایرین 1020 خبر داد. این تراشه به‌عنوان جانشین چیپست پرچم‌دار فعلی هواوی یعنی کایرین 990 روانه بازار می‌شود. اسمارت‌فون‌های سری میت 40 همراه با تراشه کایرین 1020 در ماه سپتامبر به بازار عرضه می‌شوند؛ اما اکنون اطلاعات قابل‌توجهی پیرامون قابلیت‌های این تراشه منتشر شده است. جدیدترین شایعه مخابره شده ادعا می‌کند که عرضه انبوه این تراشه در ماه آگوست و پیش از رونمایی احتمالی از سری میت 40 در ماه سپتامبر آغاز خواهد شد.

بر اساس جزئیات منتشر شده در شبکه اجتماعی Weibo، فرآیند تست تراشه 5 نانومتری کایرین 1020 پیش‌تر در چند شهر چین انجام شده است. هواوی مراسم رونمایی از یک محصول جدید خود را در ماه سپتامبر برگزار خواهد کرد و بر اساس پیش‌بینی‌ها هندست‌های سری میت 40 مهم‌ترین محصولات در این مراسم خواهند بود.

بر اساس اطلاعات تائید شده تراشه کایرین 1020 از فرآیند 5 نانومتری کمپانی TSMC بهره خواهد برد. ظاهرا تولید انبوه این تراشه در 6 ماهه نخست سال 2020 انجام خواهد شد؛ در حالی‌که فروش محصولات مجهز به این تراشه در 3 ماهه سوم سال جاری و همزمان با شروع عرضه تراشه‌های موردنیاز برای گوشی‌های آی‌فون 12 و سری میت 40 آغاز می‌شود. بر اساس پیش‌بینی‌ها هندست‌های هر 2 سری جزو نخستین گوشی‌های موبایلی مجهز به تراشه 5 نانومتری محسوب می‌شوند.

بر اساس اخبار منتشر شده، عملکرد تراشه کایرین 1020 در مقایسه با مدل کایرین 990 بیش از 50 درصد ارتقاء یافته است. معماری پردازنده مرکزی نیز از کورتکس A76 به نمونه جدید کورتکس A78 ارتقاء پیدا کرده است. این در حالیست که تراشه اسنپ‌دراگون 865 از هسته‌های پردازشی با معماری کورتکس A77 برخوردار است. بعلاوه کایرین 1020 به‌صورت یکپارچه با بیس‌باند 5G عرضه خواهد شد.

نوشته عرضه انبوه تراشه 5 نانومتری کایرین 1020 در ماه آگوست آغاز می‌شود اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

TSMC اعتقاد دارد که قانون مور هنوز به پایان راه نرسیده است!

قانون مور

تحقیقات گوردون مور، بنیان‌گذار اینتل در دهه 1960 میلادی نشان می‌داد که تعداد ترانزیستورهای درون مدار مجتمع در هرسال دوبرابر می‌شود. به همین دلیل نیز کلمه قانون به ابتدای نام مور اضافه شد تا تعداد ترانزیستورها در هرسال را شمارش کند، این قانون را امروزه، قانون مور می‌نامند. هم‌اکنون، شرکت‌های بزرگی مثل TSMC و سامسونگ درحال تولید و استفاده از تراشه‌های پردازشی 7 نانومتری هستند و در سال آینده نیز تراشه‌های 5 نانومتری به مرحله تولید انبوه می‌رسند.

قانون مور
TSMC درحال آماده‌سازی مقدمات تولید تراشه‌های 5 نانومتری است.

اما اصلی‌ترین سوال درباره این موضوع به بقا قانون مور مربوط می‌شود و باید منتظر ماند و دید که آیا این قانون روزی نقض خواهد شد یا خیر؟ سال گذشته نیز سامسونگ نقشه راه خود را برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری تا سال 2022 میلادی فاش کرد و TSMC نیز تدارکات را برای تولید این نوع از تراشه‌ها آماده می‌کند. بنابر‌این، می‌توان انتظار داشت که تراشه‌های 3 نانومتری نیز در سال‌های آینده در تلفن‌های هوشمند تعبیه خواهند شد.

مهم‌ترین دلیل برای افزایش تعداد ترانزیستور‌های یک تراشه پردازشی، به قدرت و انرژی بیشتر آن مربوط می‌شود. هرچه‌قدر تعداد ترانزیستور‌های بیشتری در داخل یک آی‌سی (IC) قرار گیرند، تراشه موردنظر از قدرت زیادی برخوردار خواهد بود.

قانون مور

به عنوان مثال، پردازنده A4 شرکت اپل که در آیفون 4 مورد استفاده قرار گرفته بود، توسط فرآیند 45 نانومتری تولید می‌شد. اکنون شما می‌توانید این تراشه را با جدیدترین تراشه اپل، یعنی A12 Bionic مقایسه کنید که در فرآیند 7 نانومتری به تولید رسیده و در آیفون‌های 2018 مورد استفاده قرار گرفته است.

شاید جالب باشد که بدانید تراشه‌های 5 نانومتری که سال آینده به تولید می‌رسند، در هر میلی‌متر مربع دارای 171.3 میلیون ترانزیستور خواهند بود.

TSMC معتقد است که قانون مور هنوز نمرده!

گادفری چنگ، مدیر بازاریابی بین‌المللی TSMC، هفته گذشته در وبلاگ این شرکت درباره قانون مور صحبت کرد. چنگ درباره این موضوع می‌گوید که TSMC در طول سال‌های آینده به نوآوری‌های خود درباره کاهش اندازه ترانزیستور‌ها ادامه خواهد داد و سعی می‌کند تا بیشترین تعداد ترانزیستور را در یک مکان قرار دهد.

TSMC یکی از بزرگترین کارخانه‌های ریخته‌گری صنایع نیمه‌هادی در جهان است که تراشه‌های طراحی‌شده توسط شرکت‌های بزرگی مانند اپل، هواوی و کوالکام را تولید می‌کند.

آمارها نشان می‌دهند که قانون مور درحال مردن است!

چنگ خاطر‌نشان کرد: “از آن‌جایی که قانون مور برپایه افزایش تراکم فضای تراشه‌ها بنا شده است، کارهای مختلفی را می‌توان برای جادادن ترانزیستورهای بیشتر در مدار‌های مجتمع انجام داد. بهترین راه برای انجام این کار، بهبود فرآیند قراردادن ترانزیستور‌ها در فضای فیزیکی چیپست است. دومین احتمال برای جلوگیری از کمبود فضای تراشه، اجتناب از ماده سیلیکون و استفاده از مواد دو‌بعدی است. TSMC به دنبال چنین ماده‌ای در جدول تناوبی عنصر‌ها بوده تا با قراردادن ترانزیستورهای برروی هم به‌جای کنار هم گذاشتن آن‌ها از ترانزیستورهای بیشتری در چیپست‌ها بهره گیرد.”

جدول متناوب عنصرها

انتظار داریم که هفته آینده در سمپوزیوم Hot Chips سخنان بیشتری را در رابطه با قانون مور و تراشه‌هایی با کارایی بالا بشنویم. این سمپوزیوم روز سه‌شنبه در شهر پالو آلتو کالیفرنیا آمریکا با سخنرانی دکتر فیلیپ وانگ، معاون ارشد بخش تحقیقات شرکت TSMC آغاز خواهد شد. عنوان بحث فیلیپ وانگ درباره دشواری‌های بعدی شرکت‌های سازنده تراشه خواهد بود. البته اصلی‌ترین دشواری به تلفن‌های قدرتمند‌تر و با کارایی بالا مربوط می‌شود.

نوشته TSMC اعتقاد دارد که قانون مور هنوز به پایان راه نرسیده است! اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

اظهارات مقامات کمپانی TSMC در خصوص ساخت تراشه‌هایی با توان پردازشی بالاتر

در حال حاضر تراشه‌های پیشرفته مخصوص اسمارت‌فون‌ها با استفاده از فرآیند 7 نانومتری تولید می‌شوند. کاهش مقیاس رقمی فرآیند تولید به‌معنای افزایش تعداد ترانزیستورهای تعبیه شده درون یک تراشه خواهد بود. برای مقایسه جالب است بدانید که تراشه 7 نانومتری اسنپ‌دراگون 855 در مقایسه با نمونه 10 نانومتری اسنپ‌دراگون 835 از توان پردازشی بالاتر و مصرف انرژی پایین‌تری برخوردار است. با آغاز عرضه گوشی‌های مجهز به تراشه‌های 5 نانومتری (در سریع‌ترین سناریوی ممکن احتمالا تا اواسط سال آینده)، این چیپست‌ها از توان پردازشی و بهره‌وری انرژی بالاتر نسبت به تراشه‌های 7 نانومتری کنونی بهره خواهند برد.

ما احتمالا در حال نزدیک شدن به مراحل پایانی قانون مور هستیم. این قانون در واقع همان مشاهدات گوردن مور؛ مدیرعامل اسبق شرکت اینتل است. آقای مور خاطرنشان کرده که تعداد ترانزیستورهای به‌کارگیری شده در یک مدار یکپارچه (IC) هر 2 سال یک‌بار 2 برابر خواهد شد. وی پیش‌تر و در سال 1965 اعلام کرد که تعداد ترانزیستورهای موجود در IC، هر ساله به روند رشد 2 برابری خود ادامه خواهد داد. پس از گذشت یک دهه، آقای مور در دیدگاه خود تجدیدنظر کرده و تعریف فعلی را ارایه نموده است. به منظور دستیابی به درک ذهنی مناسب‌تر از موضوع، جالب است بدانید که تراشه‌های 5 نانومتری، 171.3 میلیون ترانزیستور را در هر میلی‌متر مربع از فضای داخلی خود جای خواهند داد. به گفته وب‌سایت AnandTech، کمپانی تایوانی تولیدکننده نیمه‌هادی با نام TSMC که در واقع مسئولیت تولید تراشه‌های طراحی شده توسط اپل، کوالکام، هواوی و سایر شرکت‌ها را بر عهده دارد؛ چرخه توسعه فرآیند 3 نانومتری را آغاز نموده است.

“فرآیند توسعه فناوری 3 نانومتری به‌خوبی جلو می‌رود و ما اکنون در زمینه تعریف این فناوری با مشتریان اولیه خود در حال تعامل هستیم. انتظار می‌رود که فناوری 3 نانومتری در توسعه هرچه بیش‌تر موقعیت برتر ما طی زمان‌های آینده موثر باشد. C.C.Wei؛ مدیرعامل و رئیس کمپانی TSMC”

از آن‌جا که تا موعد عرضه تراشه‌های 5 نانومتری هنوز بین 12 تا 18 ماه زمان باقی‌مانده است؛ لذا TSMC مایل به بحث پیرامون مزایای فناوری 3 نانومتری نسبت به 5 نانومتری نیست. اما این کمپانی اعلام کرده که کلیه گزینه‌های ساختاری ممکن برای ترانزیستورها و مشتریان خود را بررسی نموده و معتقد است که ایده نهایی شرکت، پاسخگوی نیازمندی‌های کلیه مشتریان TSMC خواهد بود. این تولیدکننده تراشه خاطرنشان می‌کند که لیتوگرافی 3 نانومتری، فناوری کاملا جدیدی است و صرفا نسخه ارتقایافته فرآیند 5 نانومتری به‌شمار نمی‌رود.

در ماه مه سال 2018، سامسونگ از نقشه راه خود برای حرکت به سوی فرآیند 3 نانومتری رونمایی کرد و از آغاز تولید این تراشه‌ها تا سال 2022 خبر داد. سامسونگ با معرفی فرآیند 3 نانومتری به استفاده از فناوری FinFET خود پایان خواهد داد و از الگوی طراحی (Gate-All-Around (GAA خود رونمایی خواهد کرد. این فناوری امکان قرارگیری ترانزیستورها در پشته‌های عمودی را فراهم می‌کند؛ در حالی‌که پیش‌تر، ترانزیستورها صرفا از آرایش خطی استفاده می‌کردند.

آیا قانون مور کماکان به روال دوران پیش از فرآیند 3 نانومتری ادامه خواهد داد؟ این پرسشی است که پاسخ‌گویی به آن در مقطع زمانی فعلی امکان‌پذیر نیست.

نوشته اظهارات مقامات کمپانی TSMC در خصوص ساخت تراشه‌هایی با توان پردازشی بالاتر اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

تراشه‌های ۵ نانومتری سامسونگ در سال ۲۰۲۰ روانه بازار می‌شوند

صنایع ریخته‌گری سامسونگ، خبر تهیه ابزارهایی با بهره‌وری بالا از شرکای خود برای آغاز توسعه فرآیند جدید تولید 5LPE (پنج نانومتری کم‌مصرف سریع) را تایید نموده است. فناوری جدید کماکان بر لیتوگرافی EUV کمپانی متکی بوده و تولیدکنندگان تراشه به منظور تهیه الگوهای طراحی قابل‌اعتماد و کارآمد برای تراشه‌ها مستلزم دریافت تاییدیه ابزارهای طراحی با بهره‌وری‌ بالا هستند.

ابزار مذکور از هسته‌های پردازشی کورتکس A53 و کورتکس A57 شرکت ARM مبتنی بر فناوری 5LPE استفاده می‌کند. اما هسته‌های کورتکس A57 کماکان از ترانزیستورهای FinFET بهره می‌گیرند. انتظار می‌رود که بهره‌وری منطقی طراحی جدید در مقایسه با نمونه پیشین 25 درصد افزایش یابد؛ اما موضوع مهم‌تر این‌که میزان مصرف انرژی 20 درصد کاهش یافته یا کارآیی محصول 10 درصد افزایش پیدا می‌کند.

بر اساس گزارشات، فرآیند جدید 5LPE در مقایسه با فرآیند 7LPP از لایه‌های EUV بیش‌تری استفاده می‌کند؛ لذا این فرآیند احتمالا بایستی در خطوط تولید EUV کمپانی در شهر Hwaseong به‌کار گرفته شود. هزینه ساخت خطوط تولید حدودا برابر با 4.615 میلیارد دلار است و اجرای آن نیز تا انتهای سال جاری به پایان می‌رسد. در سال 2020، سطح تولید به سقف ظرفیت خود خواهد رسید و در همین مقطع زمانی، تراشه‌های مذکور برای دستگاه‌های پرچم‌دار سال آینده به‌کار گرفته خواهند شد.

نوشته تراشه‌های 5 نانومتری سامسونگ در سال 2020 روانه بازار می‌شوند اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۵ نانومتری را از سال آینده آغاز خواهد کرد

TSMC فرآیند مخاطره‌آمیز تولید تراشه‌های 5 نانومتری را آغاز کرده است و بر اساس پیش‌بینی‌ها، تولید انبوه تراشه‌های مذکور در 6 ماهه نخست سال آینده آغاز خواهد شد. این موضوع نویدبخش کاهش چشمگیر اندازه تراشه‌ها (حداکثر 45 درصد کاهش فضا) و همچنین ارتقاء حداکثر 15 درصدی کارآیی آن‌ها در مقایسه با تراشه‌های 7 نانومتری کنونی است. بعلاوه تراشه‌های جدید از معماری پیشرفته‌تری برخوردار خواهند بود.

TSMC فناوری فوق 7 نانومتری (+7nm) خود را برای تراشه‌هایی که اواخر سال جاری عرضه می‌شوند، مهیا نموده است. میزان مصرف انرژی این تراشه‌ها بایستی بین 6 تا 12 درصد کاهش یابد و چگالی ترانزیستورهای آن‌ها نیز در مقایسه با فرآیند 7 نانومتری فعلی 20 درصد افزایش خواهد یافت.

برای تراشه‌های مبتنی بر فرآیند +7nm مشتریان فراوانی صف کشیده‌اند. TSMC تامین‌کننده انحصاری تراشه‌های اپل تا سال 2020 به‌شمار می‌رود و آی‌فون‌های جدید در اواخر سال جاری روانه بازار می‌شوند. کوالکام نیز برای تراشه‌های ممتاز و جدید اسنپ‌دراگون خود احتمالا به سراغ TSMC خواهد رفت؛ چرا که تراشه اسنپ‌دراگون 855 از فرآیند تولید 7 نانومتری استفاده می‌کند. هواوی احتمالا با معرفی سری میت 30 در اواخر سال جاری از تراشه جدید کایرین خود رونمایی خواهد کرد؛ اگرچه این کمپانی می‌تواند در عوض به‌کارگیری فرآیند +7nm از فناوری 7 نانومتری کنونی استفاده نماید.

فرآیند نسل بعدی TSMC، فوق 5 نانومتری (+5nm) نام دارد و در حال حاضر کمپانی بر روی توسعه آن کار می‌کند. تولید مخاطره‌آمیز این تراشه‌ها در 3 ماهه نخست سال آینده آغاز می‌شود و تولید انبوه آن‌ها نیز در سال 2021 امکان‌پذیر خواهد بود. کارآیی و توان پردازشی این تراشه‌ها احتمالا ارتقا خواهد یافت؛ با این‌حال هنوز هیچ‌گونه پیش‌بینی رسمی در این خصوص مطرح نشده است.

نوشته TSMC تولید انبوه تراشه‌های 5 نانومتری را از سال آینده آغاز خواهد کرد اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

پیش‌بینی TSMC برای تقاضای بالای تراشه‌های اسمارت‌فونی در مقایسه با تراشه‌های استخراج پول رمزنگاری شده

gsmarena_001-4 پیش‌بینی TSMC برای تقاضای بالای تراشه‌های اسمارت‌فونی در مقایسه با تراشه‌های استخراج پول رمزنگاری شده

آی‌فون‌های ۲۰۱۸ هم‌چون گذشته در ماه سپتامبر عرضه می‌شوند؛ لذا کمپانی TSMC مشغول تولید انبوه نسل بعدی تراشه‌های سری A اپل است و به نظر می‌رسد که این تولیدکننده نیمه‌هادی نسبت به محصولات امسال خود خوشبین است.

gsmarena_001-4 پیش‌بینی TSMC برای تقاضای بالای تراشه‌های اسمارت‌فونی در مقایسه با تراشه‌های استخراج پول رمزنگاری شده

علیرغم فروش نسبتا ناقص تراشه‌های گوشی‌های هوشمند، کمپانی تایوانی انتظار دارد تا شاهد رشد بالای تک‌رقمی برای فروش تراشه‌های ساخت خود باشد؛ موضوعی که تا حد زیادی مدیون عرضه آی‌فون‌های ۲۰۱۸ خواهد بود. گفته می‌شود که اپل اسمارت‌فون‌های خود را به تراشه ۷ نانومتری A12 مجهز خواهد کرد و جهش بعدی، آغاز فرآیند تولید تراشه‌های ۵ نانومتری در سال ۲۰۲۰ خواهد بود. با این‌حال TSMC می‌گوید که سرمایه‌گذاری آن‌ها در زمینه پول رمزنگاری شده به اندازه انتظارات این شرکت موفقیت‌آمیز نبوده است. جهت اطلاع افراد ناآشنا بایستی خاطرنشان کرد که این تولیدکننده تراشه، کیت‌های استخراج قدرتمندی را ساخته و به دلیل افت چشمگیر قیمت پول‌های رمزنگاری شده، درآمد کمپانی در ۳ ماهه ژوئن تا سپتامبر ناامیدکننده بوده است. با این‌حال تقاضای بالا برای تراشه‌های اسمارت‌فونی بایستی فروش نامناسب تجهیزات رمزنگاری را جبران نماید. به هرحال مدیرعامل TSMC، فروش بالای تراشه‌های اسمارت‌فونی طی ۳ ماهه گذشته امسال را به خاطر می‌آورد.

نوشته پیش‌بینی TSMC برای تقاضای بالای تراشه‌های اسمارت‌فونی در مقایسه با تراشه‌های استخراج پول رمزنگاری شده اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.