تولید انبوه حافظه ۱۴ نانومتری توسط سامسونگ
سامسونگ الکترونیک به تازگی فرایند توسعه فلش NAND مسطح ۱۴ نانومتر را به پایان رسانده است و برنامه ای برای تولید انبوه آن در نیمه اول سال ۲۰۱۶ دارد. غول تکنولوژی کره جنوبی این حافظه جدید را در کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC)، که در ۳۱ ژانویه در سان فرانسیسکو برگزار خواهد شد، معرفی می کند.
یکی از مزیت های بزرگ فلش NAND مسطح ۱۴ نانومتری بهره وری بالا در هزینه های تولید است. بهبود دیگر این است که این نوع از حافظه به مراتب در خواندن و نوشتن کارآمد تر خواهند بود و خطا را در داده های ورودی / خروجی کاهش می دهد. این سنگ بنای یک نوآوری است که کارشناسان ادعا می کنند، سامسونگ از طریق آن یک مانع نشکن را شکسته است. اگر شما به یاد داشته باشید، شش ماه پیش یک شایعه وجود داشت که بر طبق آن سامسونگ حافظه فلش NAND را برای نسل بعدی آی فون، فراهم خواهد کرد. بنابراین اینکه این شرکت فن آوری، تولید انبوه حافظه فلش ۱۴ نانومتری را آغاز خواهد کرد، بدان معنی است که می توان آن را در معاملات مختلف امنیتی در صنعت عمومی گوشی ها نیز امتحان کرد.
.
با عضویت در کانال رسمی تکرا در تلگرام از آخرین اخبار روز تکنولوژی مطلع باشید.
.
منبع: sammobile
نوشته تولید انبوه حافظه ۱۴ نانومتری توسط سامسونگ اولین بار در عصر تکنولوژی - تکرا پدیدار شد.