احتمال به‌کارگیری تراشه‌های حافظه نسل آینده با عملکرد ۱٫۵ برابر سریع‌تر در گلکسی S10

chips-1 احتمال به‌کارگیری تراشه‌های حافظه نسل آینده با عملکرد 1.5 برابر سریع‌تر در گلکسی S10

پیش‌تر و در ماه جولای کمپانی سامسونگ از نسل بعدی تراشه‌های DRAM LPDDR5 خود رونمایی کرد. کارآیی تراشه‌های جدید در مقایسه با حافظه‌های LPDDR4 کنونی به میزان قابل‌توجهی ارتقا یافته است؛ اما این تراشه‌ها هنوز در اسمارت‌فون‌ها به‌کار گرفته نشده‌اند. با این‌حال به گفته یک خبرچین، عرضه پرچم‌دار گلکسی S10 می‌تواند شرایط را تغییر دهد.

Galaxy-S10-may-include-next-gen-memory-chips-that-are-1.5x-faster احتمال به‌کارگیری تراشه‌های حافظه نسل آینده با عملکرد 1.5 برابر سریع‌تر در گلکسی S10

تصویر مفهومی اسمارت‌فون سامسونگ گلکسی S10 پلاس

عملکرد استاندارد LPDDR5 در مقایسه با تراشه‌های نسل فعلی به میزان چشمگیری و معادل 1.5 برابر افزایش یافته است. این موضوع به معنای تبادل خطی داده با نرخ شگفت‌انگیز 51.2 گیگابایت‌برثانیه خواهد بود.

استفاده از این تراشه در زندگی روزمره، بهبود قابلیت‌هایی نظیر ضبط، ویرایش و پخش ویدیوهای 4K را به‌دنبال خواهد داشت. بعلاوه با تبدیل شدن هوش مصنوعی به مولفه کلیدی دستگاه‌ها، اعمال هوش مصنوعی بایستی با سرعت بالاتر و بهره‌وری بیش‌تری اجرا شوند. همچنین با راه‌اندازی شبکه‌های 5G و رشد چشمگیر داده‌های قابل‌انتقال، تراشه‌های جدید نقش مهمی ایفا خواهند کرد.

تراشه‌های LPDDR5 همانند اکثر فناوری‌های جدید مدت شارژدهی باتری را افزایش خواهند داد. طراحی این تراشه‌ها به گونه‌ای مهندسی شده تا در زمان نیاز به داده‌های محدودتر با ولتاژ پایین‌تری فعالیت نمایند. بعلاوه مشخصه جدیدی موسوم به “حالت خواب عمیق” امکان کاهش 30 درصدی مصرف انرژی را فراهم می‌کند.

با توجه به برچسب قیمتی بالاتر این تراشه‌ها احتمالا سامسونگ استفاده از آن‌ها را به اسمارت‌فون‌های ممتاز گلکسی S10، گلکسی S10 پلاس و گلکسی S10 5G محدود خواهد کرد. این پدیده بدان معناست که هندست کوچک‌تر گلکسی S10E احتمالا از تراشه‌های LPDDR4 بهره خواهد برد. با این‌حال شایان به ذکر است که پردازنده پرچم‌دار، بدون تغییر به‌کار گرفته خواهد شد؛ بنابراین در صورت اعمال چنین راهبردی، افت کارآیی دستگاه نبایستی قابل‌توجه باشد.

نوشته احتمال به‌کارگیری تراشه‌های حافظه نسل آینده با عملکرد 1.5 برابر سریع‌تر در گلکسی S10 اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

سامسونگ نخستین حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

1470751069_samsung-chip_story سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

سامسونگ اعلام کرده که نخستین نمونه صنعتی حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را در رده تولیدات ۱۰ نانومتری توسعه داده است. سخت‌افزار جدید به ساخت حافظه ۸ گیگابایتی LPDDR4 منتهی شد؛ سخت‌افزاری که تولید انبوه آن از سال ۲۰۱۴ آغاز شده است. تراشه جدید، تراز کیفی انتقال داده را به LPDDR5 ارتقا می‌دهد و با اپلیکیشن‌های موبایلی مجهز به هوش مصنوعی سازگاری بیش‌تری خواهد داشت. طی ماه دسامبر سال ۲۰۱۷ این تراشه در حافظه ۱۰ نانومتری DRAM از نوع GDDR6 با ظرفیت ۱۶ گیگابایت به‌کار گرفته شد و در فوریه ۲۰۱۸ نیز شاهد حضور آن در حافظه ممتاز ۱۶ گیگابایتی DRAM از نوع DDR5 بودیم.

1470751069_samsung-chip_story سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

جینمن هان، معاون ارشد واحد برنامه‌ریزی و مهندسی اپلیکیشن محصولات حافظه در سامسونگ الکترونیکس در توضیح فرآیند توسعه می‌گوید:

“توسعه حافظه ۸ گیگابایتی LPDDR5 نمایانگر گامی بزرگ به سوی ایده حافظه‌های موبایلی با مصرف انرژی پایین است. ما به فرآیند توسعه نسل بعدی حافظه‌های DRAM رده ۱۰ نانومتری خود ادامه خواهیم داد و حرکت به سوی استفاده مناسب‌تر از حافظه‌های ممتاز در سراسر جهان را تسریع خواهیم کرد.”

سخت‌افزار جدید از نرخ تبادل داده ۶۴۰۰ مگابیت بر ثانیه برخوردار است که ۱.۵ برابر سریع‌تر از تراشه‌های DRAM موبایلی به‌کارگرفته شده در گوشی‌های پرچم‌دار امروزی است. به عنوان مثالی برای توضیح سرعت این حافظه‌ها می‌توان گفت که تراشه جدید قادر به انتقال داده‌هایی با حجم ۵۱.۲ گیگابایت یا ۱۴ ویدیو فول اچ‌دی در مدت زمان تنها ۱ ثانیه است. در کنار این ارتقا سرعت شاهد کاهش میزان مصرف انرژی توسط این تراشه خواهیم بود.

Samsung-LPDDR5-DRAM-e1531893483960 سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

به گفته سامسونگ، سخت‌افزار جدید با توجه به سرعت عملکرد پردازنده در اپلیکیشن‌های مربوطه به هنگام فعال بودن آن‌ها و با هدف کاهش ولتاژ کاری، مهندسی شده است. بعلاوه برای کاهش میزان انرژی مصرفی به نصف میزان تراشه‌های DRAM فعلی از نوع LPDDR4X، حالت خواب عمیق نیز به سخت‌افزار جدید افزوده شده است.

به‌طور کلی دستگاه‌های مجهز به این تراشه‌ها شاهد ارتقا سرعت و کاهش میزان مصرف انرژی تا سقف ۳۰ درصد خواهند بود؛ بدین معنا که طول عمر باتری شما افزایش پیدا می‌کند. سامسونگ هنوز زمان تولید انبوه تراشه‌های حافظه جدید خود را اعلام نکرده است.

نوشته سامسونگ نخستین حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS

microsd معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS

فناوری حافظه‌ها ممکن است به اندازه‌ پردازنده‌های جدید یا یک نمایشگر پیشرفته‌ قابل توجه نباشد ولی برای داشتن یک تلفن هوشمند روان و بدون تاخیر وجود حافظه‌ای مناسب همیشه خودنمایی می‌کند.

کارخانه‌ها هر روزه در حال اضافه کردن قابلیت‌هایی از جمله کیفیت بالاتر ضبط عکس و فیلم و توانایی اجرای بازی‌های سنگین‌تر و حتی یادگیری ماشینی به تلفن‌های شما هستند، در همین حین حافظه‌ها ارزش خود را پیدا می‌کنند و همیشه نیاز به حافظه‌ای سریع‌تر و با پهنای باند بیشتر،‌ بیش از پیش حس می‌شود.

خوشبختانه فناوری‌های جدید در زمینه‌ حافظه‌ها در حال خودنمایی است که برای مثال LPDDR5 برای حافظه‌ موقت یا RAM و UFS 3.0 برای حافظه‌ داخلی و همچنین SD EXPRESS برای مموری کارت‌ها از جمله‌ این حافظه‌های جدید است. نکته‌ اصلی اینجاست که تمامی این حافظه‌ها از نسل‌های قبلی خود بسیار سریع‌تر شده‌اند.
میخواهیم در ادامه نگاهی دقیق‌تر به جزئیات این تغییرات داشته باشیم و ببینیم که با ورود هرکدام از این حافظه‌ها به بازار تلفن‌های هوشمند، تجربه‌ کاربری آن‌ها چه تغییری خواهد کرد.

بررسی حافظه‌ موقت LPDDR5
حافظه‌ RAM از بخش‌های ضروری هر کامپیوتر است، اما در مورد تلفن‌های هوشمند حساسیت بیشتر می‌شود چرا که پهنای باند حافظه باید با پردازنده‌ اصلی و پردازنده‌ گرافیکی و همینطور بخش‌های حساس‌تر چیپست همخوانی داشته باشد. تمامی اجزای مهم و پردازشگر یک تلفن در یک چیپ گنجانده شده و این چیپ همواره با مخزن حافظه‌ای مخصوص یا همان RAM در حال ارتباط است.
همیشه تماشای ویدیوهای ۴K و بازی کردن با تلفن باعث به چالش کشیده شدن این اجزا می‌شود و در اینجاست که برخی تلفن‌ها ضعیف‌تر عمل می‌کنند چرا که این پردازش‌ها نیازمند خواندن و نوشتن‌های بسیار زیادی در واحد زمان هستند.
ما هنوز منتظر خبرهای بیشتری از LPDDR5 هستیم، اما واضح است که همانند نسل‌های پیشین پهنای باند حافظه بیشتر شده و مصرف انرژی آن هم بهینه شده است. پهنای باند مورد انتظار از این حافظه ۶۴۰۰ مگابیت بر ثانیه است که دوبرابر نسل پیشین آن است. با این حال برخی LPDDR4 و مدل LPDDR4X را هم تا سرعت بالاتر از استاندارد آن یعنی ۴۲۶۶ رسانده‌اند.

LPDDR5-evolution معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS
با توجه به کمپانی طراحی کننده‌ ICها با نام Synopsys، حافظه‌ جدید از سیستم دیفرانسیل دوگانه با استفاده از ساعت WCK استفاده می‌کند که پیش از این در حافظه‌های گرافیکی GDDR5 استفاده می‌شدند.
زمان‌بندی دیفرانسیل باعث افزایش فرکانس بدون اضافه کردن تعداد پین‌ها می‌شود که این دو پیاده سازی ساعت با نام‌های WCK_t و WCK_c اجازه می‌دهد تا برای دو نقطه‌ عملیاتی مختلف استفاده شوند که تعداد فرمان و آدرس‌های قابل استفاده را دو تا چهار برابر خواهد کرد.
حافظه‌ LPDDR4 همچنین از قابلیت Link ECC استفاده می‌کند که برای عملیات خواندن و نوشتن کاربرد دارد و به حافظه اجازه می‌دهد تا داده را حتی در هنگام دریافت خطاهای مربوط به انتقال و یا بر اثر از دست دادن شارژ حافظه بازیابی کند.
کار نسل جدید در اینجا تمام نمی‌شود و هنوز هم تمرکز ویژه‌ای بر روی مصرف انرژی در این حافظه‌ها وجود دارد که نکته‌ای حیاتی برای تلفن‌های هوشمند امروزی است.
قابلیت خواب عمیق یا Deep Sleep هم به حافظه‌ جدید اضافه شده است که تا ۴۰ درصد در مصرف انرژی در زمان بیکار بودن تلفن صرفه جویی می‌کند. حتی در زمان کپی کردن اطلاعات هم تغییراتی برای صرفه جویی در انرژی صورت گرفته است که الگوی انتقال داده‌ها را برای نوشتن معمول و خواندن عملیات‌ها تغییر داده و در نتیجه کارایی بالاتر باعث مصرف بیشتر برق نشده و عمر باتری افزایش خواهد یافت.
با این حال هنوز هم بازار منتظر عرضه‌ اولین دستگاه دارای چیپ LPDDR5 است. سامسونگ زمزمه‌هایی برای استفاده از این محصول را در سال گذشته داشته ولی میتوان حدس زد که تولید آن از نیمه‌ دوم سال ۲۰۱۸ آغاز شود.

Samsung-512GB_eUFS_main-e1512481215812-1000x503 معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS

بررسی حافظه‌ داخلی UFS 3.0
این روزها حافظه‌ سریع هم به اندازه‌ RAM ارزشمند است. مخصوصا وقتی بخواهید ویدئویی با رزولوشن بالا تماشا کنید. حافظه‌ UFS به سرعت در حال گرفتن جای eMMCهاست که مدتها به عنوان استاندارد تلفن‌های همراه خودنمایی می‌کردند.
اخیرا JDEC مشخصات UFS 3.0 جدید خود را به صورت رسمی منتشر کرده است که نسل بعدی حافظه‌های این سازنده محسوب می‌شود و به ما اطلاعات خوبی در مورد کارایی و بهبود‌های این حافظه خواهد داد.
از تغییرات مهم انجام شده می‌توان به دو برابر شدن سرعت حافظه نسبت به نسل پیشین اشاره کرد که اکنون هر خط می‌تواند تا سرعت ۱۱.۶ گیگابیت بر ثانیه را کنترل کند و پیک سرعت انتقال به ۲۳.۲ گیگابیت بر ثانیه می‌رسد.
اما در دنیای واقعی این اعداد در حد تئوری هستند و سرعت واقعی اندکی کمتر از این خواهد بود. خوشبختانه همه‌ دستگاه‌های سازگار با UFS 3.0 نیاز به پشتیبانی از HS-G4 و HS-G3 خواهند داشت که این به معنای تجربه‌ سرعتی بیشتر از تمامی نسخه‌های UFS 2.0 خواهد بود.

ufs-memory-speeds معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS
همچنین استاندارد مصرف برق هم تغییر کرده است. در نسل جدید از ۳ مدل قدرتی استفاده می‌شود که ۱.۲ ولت، ۱.۸ ولت و ۲.۵/۳.۳ ولت در آن جای گرفته است.
معرفی مدل ۲.۵ ولتی به پشتیبانی از چگالی بیشتر حافظه‌های سه بعدی NAND کمک می‌کند و مصرف باتری را کم می‌کند. به بیانی دیگر UFC 3.0 ساخته شده تا از حافظه‌های بزرگتر که با تکنیک‌های منحصر به فردی ساخته شده‌اند، پشتیبانی کند.
همانند LPDDR5 بازهم سامسونگ وعده‌ استفاده از UFS 3.0 را زودتر از بقیه‌ تولید کننده‌ها داده است. بنابراین استفاده از این نوع حافظه هم زیاد دور از ذهن نبوده و احتمالا در سال ۲۰۱۹ شاهد UFS 3.0 خواهیم بود.

HTC-U11-Plus-SIM-microSD-slot-1000x521 معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS

بررسی کارت حافظه‌ SD EXPRESS
در آخر به حافظه‌های قابل حمل می‌رسیم که در اینجا منظورمان کارت‌ حافظه‌های معروف تلفن‌های همراه است. استاندارد جدید معرفی شده با نام SD EXPRESS آینده‌ کارت‌های حافظه را می‌سازد و احتمالا جایگزین microSDها خواهد شد، گزینه‌ جایگزینی با UFS هم وجود دارد.
به طور خلاصه SD EXPRESS سریعترین کارت حافظه‌ای است که تا به حال تولید شده و می‌توان از آن به عنوان SSD قابل حمل استفاده کرد.
حافظه‌ SD EXPRESS رابط PCI Express و NVMe را به رابط قدیمی کارت‌های SD مرتبط می‌سازد. این دو رابط در دنیای کامپیوتر‌ها بوجود آمده‌اند. این رابط‌ها از طریق پین‌های ردیف دوم کارت حافظه قابل استفاده هستند که می‌توان آن‌ها را در کارت‌های پرسرعت UHS-II موجود در بازار هم مشاهده کرد.
پشتیبانی از PCI-E 3.0 به معنی دست یافتن به سرعت ۹۸۵ مگابایت بر ثانیه است که بیش از ۳ برابر سریعتر از کارت‌های UHS-II کنونی با ۳۱۲ مگابایت بر ثانیه سرعت است. این رقم حتی از کارت‌های UHS-III با سرعت ۶۲۴ مگابایت بر ثانیه هم بیشتر است.

SDcard-bus-speed-and-storage معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS
استاندارد NVMe امروزه در حال استفاده در SSDهاست که استفاده از آنها در کارت‌ حافظه به معنی این است که شما یک SSD قابل حمل و درصورت نیاز قابل اتصال به کامپیوتر دارید.
بیشترین حجم کارت حافظه هم از ۲ ترابایت در SDXCها به ۱۲۸ ترابایت در SDUCها رسیده است.
حافظه‌ SD EXPRESS قابلیت سازگاری با درگاه‌های حافظه‌ کنونی را دارد ولی شما محدود به سرعت‌های پشتیبانی شده توسط دستگاه خود خواهید شد.

جمع بندی
پیشرفت‌ها در زمینه‌ حافظه‌ها متوقف نشده‌اند و تلاش برای دستیابی به سرعت بیشتر و مصرف انرژی کمتر هنوز هم ادامه دارد. در مورد حافظه‌ها شاهد افزایش حجم روز به روز آن‌ها هستیم و احتمالا این پیشرفت‌ها را در پرچمداران آینده‌ سازندگان تلفن‌های هوشمند مشاهده خواهیم کرد.
هرکدام از این تکنولوژی‌های حافظه را احتمالا در پرچمداران ۲۰۱۹ خواهیم دید و حتی ممکن است برخی تلفن‌های همراه زودتر از موعد از یک یا چندتای آن‌ها استفاده کنند. باید بنشینیم و نظاره‌گر کمپانی‌های سازنده تلفن همراه باشیم و ببینیم چه موقع برای عرضه‌ نسل جدید حافظه‌ها آماده‌اند.

نوشته معرفی نسل جدید حافظه‌ها: LPDDR5 ،UFS 3.0 و SD EXPRESS اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.