در حال حاضر بازار جهانی تراشه با شرایطی بحرانی مواجه شده است؛ وضعیتی که کمبود جدی نیمه‌هادی‌ها در سراسر جهان را به‌دنبال داشته است. کمبود تراشه‌ها در بازار از سال گذشته آغاز شده و هم‌اکنون کماکان ادامه دارد. کمبود تراشه در این مقطع زمانی اهمیت صنعت نیمه‌هادی برای اقتصاد مبتنی بر فناوری در کلیه کشورهای جهان را برجسته می‌کند. اتحادیه اروپا از گذشته برای تولید نیمه‌هادی‌ به تراشه‌های آمریکایی و شرکت‌هایی آسیایی وابستگی شدیدی داشته است. با این‌حال اکنون این اتحادیه مشغول تدوین یک برنامه خودکفایی جهت ایجاد امکان تولید تراشه‌های پیشرفته تا سال 2030 است.

بر اساس پیش‌نویس سندی که به دست رسانه‌های مطبوعاتی رسیده است؛ اتحادیه اروپا در راستای رهایی از “وابستگی پرخطر” به کمپانی‌های آمریکایی و آسیایی امیدوار است که تا سال 2030 حداقل 20 درصد از محصولات نیمه‌هادی پیشرفته در جهان (بر اساس میزان ارزش) بایستی توسط کارخانجات محلی کشورهای اتحادیه اروپا تولید شوند.

اتحادیه اروپا احتمالا در آینده ناچار به تجدیدنظر در محتوای این سند خواهد بود. با این‌حال اتحادیه اروپا بایستی طی هفته آینده این سند را به تائید سازمان اجرایی خود موسوم به کمیسیون اروپا برساند.

اروپا امیدوار است تا وابستگی خود به تراشه‌های آمریکایی را کاهش دهد

بر اساس گزارشات رسانه‌ای پیشین کشورهای اتحادیه اروپا در خصوص احداث یک کارخانه جدید و کلان ساخت تراشه جهت ترویج رویکرد تولید محلی نیمه‌هادی‌ها در قاره اروپا به بحث و تبادل نظر پرداخته‌اند. در فناوری تولید نیمه‌هادی‌ها فعالیت در زمینه‌های مشابه به یک شاخص مهم تبدیل شده است. در حال حاضر کمپانی‌های TSMC و سامسونگ الکترونیکس تولید تراشه‌های 5 نانومتری در قاره آسیا را آغاز کرده‌اند و اتحادیه اروپا به‌دنبال تولید تراشه‌هایی با تکنولوژی پیشرفته‌تر و کارآیی بالاتر (نظیر تراشه‌های 3 نانومتری) نسبت به تراشه‌های 5 نانومتری است.

اتحادیه اروپا معتقد است که کاهش وابستگی خارجی در حوزه‌های کلیدی می‌تواند به استقلال بیش‌تر این اتحادیه در زمینه فناوری‌های دیجیتالی و تامین هرچه بهتر منافع آن کمک کند. از جنبه خودکفایی در تولید نیز اتحادیه اروپا اعلام کرده که به‌دنبال ارائه کلیه اشکال پشتیبانی از طریق فضای باز اینترنت است.

اتحادیه اروپا این طرح را “پروژه قطب‌نمای دیجیتال” نامگذاری کرده است. پروژه جدید اهداف متعددی از جمله نیمه‌هادی‌ها را تحت پوشش قرار می‌دهد. به‌عنوان مثال اتحادیه اروپا به منظور اطمینان از دسترسی کمپانی‌ها به سرویس‌های داده‌ای پرسرعت به‌دنبال استفاده از 10 هزار دیتاسنتر کربن خنثی (بدون تولید آلاینده‌های کربنی) است. بعلاوه این اتحادیه به‌دنبال توسعه کامپیوترهای کوانتومی در سال 2025 و ارائه قابلیت پوشش‌دهی کامل شبکه 5G در مناطق پرجمعیت تا سال 2030 است. با این‌حال اتحادیه اروپا روش‌های احتمالی مورد استفاده جهت تحقق اهداف مختلف خود را به‌طور دقیق توصیف نکرده است.

اتحادیه اروپا به‌دنبال ایجاد یک مکانیسم نظارتی جهت اطمینان از بهره‌وری است. این اتحادیه با تدوین طرح جدید امیدوار است تا عملکرد خود را به‌صورت لحظه به لحظه ارزیابی نماید. بعلاوه کمیسیون اروپا نیز گزارشات سالیانه خود را به‌صورت منظم منتشر نموده و به توصیف دستاوردهای توسعه‌ای ناشی از این برنامه‌ها می‌پردازد. با این‌حال این برنامه‌ها بایستی توسط اتحادیه اروپا و پارلمان اروپا تصویب شوند.

اکثر کمپانی‌های تولیدکننده نیمه‌هادی در جهان در ایالات‌متحده یا آسیا مستقر هستند. با این‌حال کمپانی‌های TSMC و سامسونگ الکترونیکس با فاصله‌ای زیاد در این صنعت پیشتاز هستند.

نوشته اتحادیه اروپا خواهان پایان وابستگی خود به تراشه‌های آمریکایی تا سال 2030 است اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

طی چند سال گذشته هدست‌های بلوتوثی خصوصا نمونه‌های بلوتوثی مجزا (TWS) به محبوبیت بسیار زیادی دست یافته‌اند. کمپانی‌های مختلف تولیدکننده تراشه به منظور ارتقاء تجربه شنیداری این محصولات همواره از فناوری‌های جدید مرتبط با حوزه صدا رونمایی می‌کنند. روز گذشته نیز کمپانی کوالکام از فناوری Snapdragon Sound رونمایی کرد.

در واقع Qualcomm Snapdragon Sound گونه‌ای خاص از یک فناوری نیست؛ بلکه مجموعه‌‌ای شامل تعداد زیادی از فناوری‌های صوتی موجود به‌شمار می‌رود. به گفته کمپانی تولیدکننده این فناوری قادر به خلق تجربه صوتی با تاخیر بسیار پایین و در عین‌حال حفظ کیفیت بالای صدا و اتصال پایدار است. همچنین فناوری جدید شارژدهی طولانی‌مدت باتری را تضمین خواهد کرد.

ابتدا در خصوص مقوله کیفیت صدا صحبت می‌کنیم. فناوری Qualcomm Snapdragon Sound قادر به اجرای نمونه‌برداری با نرخ 96 کیلوهرتز حین پخش موسیقی خواهد بود؛ موضوعی که احتمالا به‌معنای پخش صدا با جزئیات بیش‌تر است. همچنین کوالکام به منظور عرضه لیست پخش منتخب Snapdragon Sound با شرکت آمازون همکاری نموده است. بدین‌ترتیب کاربران به مجموعه‌ای از تجارب صوتی باکیفیت بالا از منابع پخش صدا تا گوش‌های خود دسترسی خواهند داشت.

همچنین فناوری Qualcomm Snapdragon Sound مجموعه‌ای از بهینه‌سازی‌های متعدد در زمینه تماس‌های صوتی و بازی‌‌ها را به ارمغان آورده است. اکنون گجت‌های مجهز به این فناوری قادر به ضبط صدای اچ‌دی با نرخ 32 کیلوهرتز و بازسازی صدای تماس‌‌ها به شکلی واقعی‌تر هستند. همچنین زمان تاخیر پایین 89 میلی‌ثانیه‌ای نیز در مقایسه با سایر فناوری‌های صوتی به میزان قابل‌توجهی کمتر بوده و هدست‌های بلوتوث را به سلاحی واقعی برای گیمرها تبدیل خواهد کرد.

در حال حاضر پلتفرم موبایلی اسنپ‌دراگون 888 و سخت‌افزارهایی نظیر FastConnect 6900 و QCC515x از فناوری Qualcomm Snapdragon Sound پشتیبانی می‌کنند.

کدام دستگاه‌ها از فناوری Snapdragon Sound پشتیبانی خواهند کرد؟

دستگاه‌های موجود از طریق به‌روزرسانی نرم‌افزار ارائه شده توسط کوالکام می‌توانند از فناوری صوتی جدید کمپانی بهره‌مند شوند. در آینده کمپانی کوالکام به تدریج قابلیت پشتیبانی از فناوری صوتی خود را به طیف گسترده‌ای از سخت‌افزارها اضافه خواهد کرد. بدین‌ترتیب این فناوری حوزه‌های بیش‌تری نظیر اتومبیل‌ها و کامپیوترها را تحت پوشش قرار داده و امکان بهره‌مندی شمار بیش‌تری از کاربران از فناوری Snapdragon Sound را فراهم می‌کند.

بر اساس اعلام کوالکام محصولات مرتبط با فناوری جدید در 6 ماهه دوم سال جاری میلادی قابل دسترس خواهند بود. پیش‌تر برخی کمپانی‌های تولیدکننده خبر به‌کارگیری این فناوری در محصولات خود را موردتائید قرار داده‌اند. به‌عنوان مثال ژانگ لی؛ معاون ارشد و مدیرکل واحد تحقیق و توسعه سخت‌افزار در کمپانی شیائومی ادعا کرده که این کمپانی چینی نخستین تولیدکننده‌ای است که از فناوری Snapdragon Sound بهره‌برداری خواهد کرد.

نوشته کوالکام از فناوری صوتی اسنپ‌دراگون با کیفیت بالا و تاخیر پایین رونمایی کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

در گذشته کمپانی کوالکام از تراشه‌های اسنپ‌دراگون 765 و اسنپ‌دراگون 765G به‌عنوان گزینه‌های فوق میان‌رده خود رونمایی کرد. این تراشه‌ها در هندست‌هایی نظیر اوپو رنو 5، اوپو رنو 5 پرو 5G، ردمی K30، وان‌پلاس نورد، پیکسل 5، ZTE بلید 20 پرو و ویوو V20 پرو مورد استفاده قرار گرفتند. اکنون شواهدی وجود دارند که نشان می‌دهند کمپانی آمریکایی تولیدکننده نیمه‌هادی روی توسعه تراشه اسنپ‌دراگون 775 کار می‌کند.

بر اساس گزارشات اخیر اعضای انجمن Xiaomiui طی چت گروهی خود در تلگرام به برخی مشخصات تراشه‌های اسنپ‌دراگون 775 و اسنپ‌دراگون 775G اشاره نموده‌اند. فهرست حاوی برخی مشخصات تراشه‌های اسنپ‌دراگون 775 و 775G که در گروه مذکور به اشتراک گذاشته شده است؛ نشان می‌دهد که این نیمه‌هادی‌ها با استفاده از فرآیند 5 نانومتری موجود تولید خواهند شد.

اکنون نخستین بار نیست که شاهد انتشار شایعاتی پیرامون تراشه اسنپ‌دراگون 775 هستیم. سال گذشته شایعه شد که این تراشه با استفاده از فرآیند 6 نانومتری تولید می‌شود. حتی برخی شایعات از به‌کارگیری این تراشه در اسمارت‌فون ردمی K40 طی 3 ماهه چهارم سال 2020 حکایت داشتند. با این‌حال کمپانی شیائومی اخیرا از اسمارت‌فون‌های سری ردمی K40 رونمایی کرد؛ اما این هندست‌ها فاقد تراشه اسنپدراگون 775 هستند.

چنان‌چه فرضیه مطرح شده در خصوص تولید تراشه اسنپ‌دراگون 775 با استفاده از فرآیند 5 نانومتری صحت داشته باشد؛ در این‌صورت این موضوع به‌معنای عملکرد سریع‌تر و افزایش بهره‌وری انرژی نسبت به فرآیند 7 نانومتری مورد استفاده در سری اسنپ‌دراگون 765 خواهد بود. فرآیند 5 نانومتری تنها توسط تراشه‌های سری اسنپ‌دراگون 800 مورد بهره‌برداری قرار گرفته و استفاده از این فرآیند جهت تولید تراشه اسنپدراگون 775 موجب کاهش فاصله این نیمه‌هادی‌ها از نظر کارآیی و بهره‌وری انرژی خواهد شد.

در حال حاضر تائید صحت و سقم این اطلاعات امکان‌پذیر نیست؛ اما منابع خبری انجمن XDA ادعا می‌کنند که سند منتشر شده همانند یک اسلاید واقعی از پرونده‌های داخلی کمپانی به‌نظر می‌رسد. با این‌حال سند مذکور ظاهرا قدیمی است. بنابراین کوالکام احتمالا در شمای نامگذاری تراشه آینده خود تغییراتی را اعمال می‌کند؛ موضوعی که پیش‌تر در خصوص تراشه اسنپ‌دراگون 888 نیز رویت شد و تعجب همگان را به‌دنبال داشت.

بر اساس برخی شایعات تراشه اسنپ‌دراگون 775 احتمالا در اسمارت‌فون آینده شیائومی می 11 لایت به‌کار گرفته خواهد شد. انتظار می‌رود که این هندست در آینده‌ای بسیار نزدیک معرفی شود. بنابراین تا زمان رونمایی از تراشه اسنپ‌دراگون 775 نیز احتمالا زمان چندان زیادی باقی نمانده است.

نوشته مشخصات احتمالی تراشه اسنپ‌دراگون 775 ساخت کوالکام اعلام شد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

بر اساس گزارشات اخیر کمپانی اپل در آینده از درگاه جایگزین برای پورت لایتنینگ خود رونمایی خواهد کرد. با این‌حال غول کوپرتینویی کماکان به سراغ استفاده از درگاه USB Type-C نخواهد رفت. شرکت اپل در راستای زمینه سازی کنار گذاشتن پورت لایتنینگ در آینده پتنت جدیدی را به ثبت رسانده است. اپل در پتنت جدیدی که در دفتر ثبت اختراعات و نمادهای تجاری ایالات‌متحده (USPTO) به ثبت رسیده است؛ یک شارژر MagSafe با اتصال 3 پین را ترسیم نموده است. با این‌حال این شارژر دارای طرح‌های مختلف پین است که به شارژر متصل خواهند شد. یکی از پین‌ها گرد بوده و بقیه همگی صاف هستند.

با توجه به یک تصویر مندرج در پتنت به‌نظر می‌رسد که شارژر مذکور برای آ‌ی‌فون طراحی شده است. این تصویر نمایی از قسمت تحتانی آی‌فون همراه با یک پورت شارژر را نمایش می‌دهد. شارژر جدید از تعدادی آهنربا استفاده می‌کند. این آهنرباها امکان اتصال یا جداسازی آسان شارژر از دستگاه را فراهم خواهند کرد؛ موضوعی که یکی از مزایای درگاه جدید نسبت به پورت لایتنینگ فعلی آی‌فون به‌شمار می‌رود.

اپل امیدوار است تا شارژ MagSafe فعلی در قسمت پشتی دستگاه را به محلی برای استقرار ابزارهای جانبی تبدیل کند. این پتنت می‌تواند صحت گزارشات اخیر را اثبات نماید. این موضوع بدان معناست که شارژر مغناطیسی MagSafe به منظور شارژ آی‌فون به قسمت تحتانی آن انتقال خواهد یافت.

مینگ چی‌کو؛ تحلیل‌گر موسسه Tianfeng International به بیان پیش‌بینی خود برای آی‌فون‌های آینده پرداخت. به گفته وی شایعات پیرامون انتقال پورت USB-C به آی‌فون‌های اپل تاکنون رنگ واقعیت به خود نگرفته است. طی چند سال گذشته اکثر اسمارت‌فون‌های اندرویدی از درگاه USB-C استفاده کرده‌اند؛ در حالی‌که اکنون مدت‌هاست که گوشی‌های آی‌فون از پورت اختصاصی لایتنینگ استفاده می‌کنند. از مدت‌ها پیش شایعه شده که گوشی‌های آی‌فون نیز به سراغ استفاده از پورت USB-C خواهند رفت؛ اما مینگ چی‌کو چنین عقیده‌ای ندارد.

این تحلیل‌گر ادعا می‌کند که رابط USB-C به سودآوری پروژه لوازم جانبی Apple MFi کمک نخواهد کرد. همچنین استفاده از چنین درگاهی در عوض پورت لایتنینگ موجب کاهش مقاومت اسمارت‌فون در برابر آب‌خوردگی خواهد شد. بنابراین چنان‌چه اپل در آینده از به‌کارگیری پورت لایتنینگ برای آی‌فون‌های خود صرفنظر نماید؛ در این‌صورت یقینا به سراغ اتصال USB-C نخواهد رفت. مینگ چی‌کو معتقد است که غول کوپرتینویی احتمالا به‌طور کامل از شارژ مغناطیسی  MagSafe بهره‌برداری خواهد کرد.

با این‌حال وی خاطرنشان کرد که طی سالیان آینده گوشی‌های آی‌فون کماکان از پورت لایتنینگ استفاده خواهند کرد؛ چرا که کارکرد فناوری MagSafe کماکان با حد ایده‌آل فاصله دارد. همچنین این تحلیل‌گر معتقد است که امسال سری آی‌فون 13 فاقد حسگر اثرانگشت خواهد بود. همچنین به گفته مینگ چی‌کو سومین نسل آی‌فون SE فاقد طراحی جدید و نمایشگر بزرگتر خواهد بود. این اسمارت‌فون طرفداران هندست‌های جمع‌وجورتر را هدف قرار داده و مجهز به یک نمایشگر 4.7 اینچی خواهد بود. بزرگترین تغییرات اعمال شده در این هندست شامل به‌روزرسانی تراشه و پشتیبانی از شبکه‌های نسل پنجم است.

نوشته پتنت جدید اپل از تصمیم کمپانی برای کنار گذاشتن پورت لایتنینگ حکایت دارد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

آقای جرد تیت در سال 2013 کار بر روی دیجی بایت را آغاز کرد و در ماه ژانویه 2014 استخراج بلاک جنسیس این ارز دیجیتال انجام شد. پس از عرضه رسمی و بی سر و صدای دیجی بایت، تیم توسعه این ارزدیجیتال به طور جدی برای بهترشدن و توسعه فنی دیجی بایت قدم برداشتند.

دیجی بایت با استفاده از کد بیت‌کوین ایجاد شد ولی از زمان عرضه اولیه تا سال 2019 به روزرسانی‌های زیادی روی این ارز اتفاق افتاده است که در این مطلب می‌خواهیم به آن نگاهی بی‌اندازیم.

فوریه سال 2014؛ دیجی شیلد (DigiSheield) فورک اول!

فورک دیجی شیلد برای تعادل بیشتر در دیجی بایت در فوریه سال 2014 اجرا شد تا بعد از هر بلاک، سختی استخراج تنظیم شود. در بیت‌کوین تقریبا دو هفته طول می‌کشد تا سختی استخراج تنظیم شود.

سپتامبر 2014؛ مولتی آلگو (MultiAlgo) فورک دوم!

در دومین فورک با هدف تمرکز زدایی بیشتر استخراج دیجی بایت، امکان ماینینگ با 5 الگوریتم مختلف فراهم شد. این به‌روزرسانی تحت عنوان مولتی آلگو بازهم در سال 2014 اتفاق افتاد.

دسامبر 2014؛ مولتی شیلد (MultiShield) فورک سوم!

سومین فورک برای ایجاد سختی استخراج بر روی هر 5 الگوریتم دیجی بایت در دسامبر 2014 فورک مولتی شیلد اتفاق افتاد!

دسامبر 2015؛ دیجی اسپید (DigiSpeed) فورک چهارم!

یکی از اهداف مهم دیجی بایت افزایش سرعت تراکنش‌ها بود. این هدف نهایتا در دسامبر 2015 با بروزرسانی دیجی اسپید به دست آمد. در این به‌روزرسانی سایز هر بلاک هر دو سال یکبار دوبرابر می‌شود. با این به‌روزرسانی میزان ظرفیت شبکه برای تایید تراکنش‌ها هر دو سال یکبار دو برابر می‌شود.

راه اندازی Segwit در سال 2017

یکی از راهکارهای موجود برای افزایش سرعت تراکش‌های یک بلاک چین استفاده از سگویت است که هم اکنون بیت‌کوین نیز از آن بهره می‌برد. در واقع اول دیجی بایت بود که با پیاده سازی سگویت این به‌رورسانی جذاب را برای خود ایجاد کرد و پس از آن بیت کوین نیز از سگویت بهره برد.

اضافه شدن DigiAssets در سال 2019

دیجی استس یا دارایی‌های دیجیتال لایه جدیدی بود که در آوریل 2019 به شبکه دیجی بایت اضافه شد. با این قابلیت کاربران می‌توانند قراردادهای هوشمند و توکن‌های دیجیتال ایجاد کنند.

نوشته نگاهی به بروزرسانی‌های خاص دیجی‌بایت اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.