سامسونگ تولید تراشههای ۳ نانومتری را با معماری GAA آغاز کرد
سامسونگ تولید انبوه تراشههای سه نانومتری GAA را تا ۴۵ درصد افزایش بازده انرژی و ۲۳ درصد عملکرد بالاتر نسبت به تراشههای پنج نانومتری شروع کرد.
سامسونگ تولید انبوه تراشههای سه نانومتری GAA را تا ۴۵ درصد افزایش بازده انرژی و ۲۳ درصد عملکرد بالاتر نسبت به تراشههای پنج نانومتری شروع کرد.
سامسونگ تولید انبوه تراشههای سه نانومتری GAA را تا ۴۵ درصد افزایش بازده انرژی و ۲۳ درصد عملکرد بالاتر نسبت به تراشههای پنج نانومتری شروع کرد.