سامسونگ اولین نیمه‌هادی سه‌ نانومتری خود را تولید می‌کند

/در , , , , , , , , /توسط
3 نانومتری

همان‌طور که در اوایل این هفته توسط Korean Maeil Economy گزارش شد، سامسونگ موفق شده تا به اولین نمونه آزمایشی فرآیند تولید 3 نانومتری دست یابد. سامسونگ در نظر دارد تا سال 2030، به بزرگ‌ترین تولیدکننده نیمه‌هادی در جهان تبدیل شود.

فرآیند تولید 3 نانومتری بر اساس فناوری Gate All Around یا به اختصار GAAFET شکل می‌گیرد. این شکل از تولید با فرآِیند استاندارد FinFET متفاوت خواهد بود. این تغییر موجب می‌شود تا‌ اندازه واحدهای سیلیکونی تا 35 درصد و مصرف انرژی نیز تا 50 درصد کاهش یابد. این فناوری همچنین باعث می‌شود تا نسبت به فرآِیند 5 نانومتری FinFET، شاهد بهبود 33 درصدی در عملکرد باشیم.

Gate All Around

طراحی GAAFET به‌ طرز قابل‌توجهی متفاوت از طراحی FinFET است. طراحی GAAFET بر مبنای کانال‌های چهار طرفه بوده که این موضوع باعث می‌شود تا تلف شدن انرژی کاهش یابد. این فرآیند باعث می‌شود تا تولیدکنندگان کنترل بیشتری بر کانال‌ها داشته باشند. این مهم، یک قدم اساسی در هنگام تقسیم گره فرآیندها است. این معماری امکان طراحی ترانزیستورهای بهینه‌تر را می‌دهد. این موضوع به همراه گره‌های فرآیند کوچک‌تر باعث می‌شود تا نسبت به فرآیند 5 نانومتری FinFET و به ازای هر وات مصرفی، شاهد جهش عظیمی در عملکرد باشیم.

سامسونگ اعلام کرده که فرآیند 4 نانومتری GAAFET را در سال 2020 به‌کار خواهد گرفت. البته معاون مؤسسه Gartner یعنی پروفسور ساموئل وانگ (Samuel Wang) شک دارد که تراشه‌های GAAFET تا سال 2022 به تولید انبوه برسند. به هر حال، وانگ اخیرا گفته که به نظر می‌رسد سامسونگ بتواند زودتر از آنچه که ناظران این صنعت انتظار داشته‌اند، تراشه‌های GAAFET را به تولید برساند. این ایده در ابتدا بسیار بلندپروازانه به نظر می‌رسید. حال اگر سامسونگ مشغول کار بر روی نمونه آزمایشی فرآیند 3 نانومتری باشد، این موضوع می‌تواند نشان‌دهنده این مهم باشد که این غول کره‌ای بیشتر از انتظارات اولیه به این فناوری نزدیک شده است.

یک سال پیش؛ یعنی زمانی که سامسونگ کار بر روی فرآیند 3 نانومتری GAAFET را آغاز کرد، این‌گونه برنامه‌ریزی شده بود که این فرآیند در سال 2021 به تولید انبوه برسد. این اقدام به دنبال تبلیغ فرآیند 7 نانومتری شرکت AMD رخ داده است. AMD این فرآِیند را در تولید پردازنده‌های سری Ryzen 3000 خود به‌کار می‌گیرد.

نوشته سامسونگ اولین نیمه‌هادی سه‌ نانومتری خود را تولید می‌کند اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

احتمال جریمه ۱.۲ میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی

/در , , , , , /توسط
Samsung-faces-exposure-as-high-as-1.2-billion-after-jury-finds-it-infringed-on-mobile-chip-technology احتمال جریمه 1.2 میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی

ماه گذشته سامسونگ به دلیل نقض تعدادی از پتنت‌های شرکت اپل در رابطه با طراحی گوشی‌های آی‌فون به پرداخت جریمه ۵۳۸.۶ میلیون دلاری به غول آمریکایی محکوم شد. اکنون سامسونگ به دلیل دست‌اندازی به حق مالکیت معنوی یک شرکت دیگر بدون اخذ مجوز، بار دیگر مورد تنبیه قرار گرفته است.

در حقیقت، شاخه آمریکایی دایره صدور مجوز از دانشگاه کره جنوبی این پرونده را مطرح کرد و در نتیجه بر اساس اعلام دادگاه فدرال، کمپانی سامسونگ اقدام به نقض پتنت آمریکایی دربردارنده فناوری FinFET نموده است.

Court-e1529221702359 احتمال جریمه 1.2 میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی

مبلغ بدهی سامسونگ به موسسه KAIST IP US (موسسه عالی علم و فناوری کره) برابر با ۴۰۰ میلیون دلار است؛ زیرا بر اساس اعلام دادگاه، سامسونگ صریحا حق ثبت اختراع را نقض نموده است. هیئت منصفه با وضع جریمه ۳ برابری معادل ۱.۲ میلیارد دلار می‌تواند خسارتی مضاعف را بر غول کره‌ای تحمیل نماید. علاوه بر سامسونگ، شرکت‌های کوالکام و GlobalFoundries نیز همین پتنت را نقض کرده بودند. با این وجود هر ۲ کمپانی با توجه به عدم محکومیت، از پرداخت خسارت طفره رفتند.

FinFET یک ترانزیستور است که در طراحی پردازنده‌هایی با شکل الکترودهای گیت نظیر fin مورد استفاده قرار می‌گیرد و وجه تسمیه معماری مذکور نیز به همین مسئله باز می‌گردد. تکنولوژی FinFET امکان بازگشایی چندین درگاه روی یک ترانزیستور منفرد، کارایی مناسب‌تر و مصرف پایین‌تر انرژی روی تراشه‌های کوچک‌تر را فراهم می‌کند.

Samsung-faces-exposure-as-high-as-1.2-billion-after-jury-finds-it-infringed-on-mobile-chip-technology احتمال جریمه 1.2 میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی

به گفته شاکی، در ابتدا تب سامسونگ جهت استفاده از فناوری FinFET فروکش کرد؛ اما بر اساس اظهارات پرونده با بهره‌گیری اینتل از فناوری مذکور در تراشه‌های ساخت خود، سامسونگ نیز ذهنیت سابقش را تغییر داد.

سامسونگ اتهام نقض پتنت را رد و اعلام کرده که برای توسعه فناوری FinFET با دانشگاه همکاری نموده است. غول تکنولوژی معتقد است که پتنت مذکور نامعتبر بوده و حق درخواست تجدیدنظر را برای خود محفوظ می‌داند.

نوشته احتمال جریمه ۱.۲ میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

از سامسونگ و کوالکام شکایت شد

/در , , , , , /توسط
از سامسونگ و کوالکام شکایت شد

شرکت سامسونگ که یکی از بزرگترین تولیدکنندگان نیمه‌هادی برای دستگاه‌های موبایل در جهان محسوب می‌شود، در دو سال اخیر از تکنولوژی FinFET برای تولید پردازنده‌های خود و کوالکام بهره گرفته است. حال به‌نظر می‌رسد که از شرکت‌های سامسونگ، کوالکام و GlobalFoundries در آمریکا شکایت شده که این شکایت از طرف شعبه آمریکایی موسسه پیشرفته علم و صنعت کره‌جنوبی انجام گرفته است و براساس گفته‌های آن، شرکت‌های یاد شده بدون پرداخت حق امتیاز از این تکنولوژی استفاده کرده‌اند. براساس گزارشات از کره‌جنوبی، شرکتی که وظیفه مدیریت مالکیت معنوی اختراعات موسسه پیشرفته علم و صنعت را برعهده دارد، سه‌شنبه گذشته شکایتی علیه سامسونگ، کوالکام و GlobalFiundries را به دادگاه فدرال در ایالت تگزاس ارائه کرده است. این موسسه اعلام کرده که باوجود معرفی این تکنولوژی در سال ۲۰۰۱ توسط پروفسور Lee Jong-ho، سامسونگ نسبت به آن ابراز بی‌توجهی کرد ولی امروزه به‌صورت گسترده از آن استفاده می‌کند. با گذشت زمان شرکت اینتل از تکنولوژی نیمه‌هادی مشابه با نام MOSFET (ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی نیمه‌هادی) رونمایی کرد و در آن موقع سامسونگ از پروفسور Lee Jong-ho برای توضیح بیشتر در رابطه با FinFET دعوت به‌عمل آورد.

این موسسه می‌گوید:

سامسونگ الکترونیک می‌توانست با کپی کردن ایده و اختراع Lee بدون پرداخت حق امتیاز، در زمان و هزینه صرفه‌جویی کند، بنابراین با انجام این کار دستاوردهای این پروفسور را نادیده گرفت و جبران خسارت نیز نکرد.

هر دو شرکت سامسونگ و GlobalFoundries از فرآیند نیمه‌هادی FinFET برای تولید چیپ‌ست‌های خود استفاده می‌کنند و کوالکام نیز چیپ‌ست‌های خود را کارخانه دو شرکت یاد شده می‌سازد. اگرچه کوالکام خود از این فناوری استفاده نمی‌کند ولی پردازنده‌های آن با استفاده از این تکنولوژی در کارخانه‌های سامسونگ و GlobalFoundries تولید می‌شوند. آخرین پردازنده این شرکت یعنی اسنپدراگون ۸۳۵ نیز توسط سامسونگ با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET در کارخانه‌های آن تولید خواهد شد و اولین دستگاه مجهز به این تراشه در نیمه اول سال ۲۰۱۷ به بازار عرضه می‌شود. هنوز سامسونگ بیانیه رسمی برای این شکایت ارائه نکرده و معلوم نیست که این طرح دعوی بر روی ظرفیت تولید پردازنده‌های آن تاثیر خواهد داشت یا خیر.

نوشته از سامسونگ و کوالکام شکایت شد اولین بار در پدیدار شد.

از سامسونگ و کوالکام شکایت شد

/در , , , , , /توسط
از سامسونگ و کوالکام شکایت شد

شرکت سامسونگ که یکی از بزرگترین تولیدکنندگان نیمه‌هادی برای دستگاه‌های موبایل در جهان محسوب می‌شود، در دو سال اخیر از تکنولوژی FinFET برای تولید پردازنده‌های خود و کوالکام بهره گرفته است. حال به‌نظر می‌رسد که از شرکت‌های سامسونگ، کوالکام و GlobalFoundries در آمریکا شکایت شده که این شکایت از طرف شعبه آمریکایی موسسه پیشرفته علم و صنعت کره‌جنوبی انجام گرفته است و براساس گفته‌های آن، شرکت‌های یاد شده بدون پرداخت حق امتیاز از این تکنولوژی استفاده کرده‌اند. براساس گزارشات از کره‌جنوبی، شرکتی که وظیفه مدیریت مالکیت معنوی اختراعات موسسه پیشرفته علم و صنعت را برعهده دارد، سه‌شنبه گذشته شکایتی علیه سامسونگ، کوالکام و GlobalFiundries را به دادگاه فدرال در ایالت تگزاس ارائه کرده است. این موسسه اعلام کرده که باوجود معرفی این تکنولوژی در سال ۲۰۰۱ توسط پروفسور Lee Jong-ho، سامسونگ نسبت به آن ابراز بی‌توجهی کرد ولی امروزه به‌صورت گسترده از آن استفاده می‌کند. با گذشت زمان شرکت اینتل از تکنولوژی نیمه‌هادی مشابه با نام MOSFET (ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی نیمه‌هادی) رونمایی کرد و در آن موقع سامسونگ از پروفسور Lee Jong-ho برای توضیح بیشتر در رابطه با FinFET دعوت به‌عمل آورد.

این موسسه می‌گوید:

سامسونگ الکترونیک می‌توانست با کپی کردن ایده و اختراع Lee بدون پرداخت حق امتیاز، در زمان و هزینه صرفه‌جویی کند، بنابراین با انجام این کار دستاوردهای این پروفسور را نادیده گرفت و جبران خسارت نیز نکرد.

هر دو شرکت سامسونگ و GlobalFoundries از فرآیند نیمه‌هادی FinFET برای تولید چیپ‌ست‌های خود استفاده می‌کنند و کوالکام نیز چیپ‌ست‌های خود را کارخانه دو شرکت یاد شده می‌سازد. اگرچه کوالکام خود از این فناوری استفاده نمی‌کند ولی پردازنده‌های آن با استفاده از این تکنولوژی در کارخانه‌های سامسونگ و GlobalFoundries تولید می‌شوند. آخرین پردازنده این شرکت یعنی اسنپدراگون ۸۳۵ نیز توسط سامسونگ با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET در کارخانه‌های آن تولید خواهد شد و اولین دستگاه مجهز به این تراشه در نیمه اول سال ۲۰۱۷ به بازار عرضه می‌شود. هنوز سامسونگ بیانیه رسمی برای این شکایت ارائه نکرده و معلوم نیست که این طرح دعوی بر روی ظرفیت تولید پردازنده‌های آن تاثیر خواهد داشت یا خیر.

نوشته از سامسونگ و کوالکام شکایت شد اولین بار در پدیدار شد.

سامسونگ تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری را آغاز کرد

/در , , , , /توسط
سامسونگ تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری را آغاز کرد

سامسونگ امروز تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری مبتنی بر فناوری FinFET را آغاز کرد. این شرکت کره‌ای می‌گوید که در سال آینده محصولی با این تکنولوژی به بازار عرضه می‌شود. در اوایل ماه جاری میلادی، اخباری منتشر شده بود که نشان می‌داد چیپست‌های اسنپدراگون ۸۳۰ را سامسونگ با فناوری ۱۰ نانومتری می‌سازد. این خبر، تاییدی بر اخبار پیشین بود.

جان شیک یون، مدیر ارشد اجرایی بخش کارخانه سامسونگ الکترونیک می‌گوید:

تولید انبوه چیپست‌های با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET، نشان از رهبری ما در دنیای فناوری پیشرفته دارد. ما به خلاقیت خود در این راه ادامه می‌دهیم.

فناوری ۱۰ نانومتری FinFET سامسونگ ۱۰LPE نامیده شده و از یک ترانزیستور سه بعدی که بهبودهایی هم در تکنولوژی و هم در طراحی نسبت به فناوری ۱۴ نانومتری دارد، استفاده می‌کند و این ۲۷ درصد عملکرد بهتر و ۴۰ درصد مصرف کمتر انرژی را به ارمغان می‌آورد. سامسونگ نسل دوم این فناوری را در نیمه دوم سال ۲۰۱۷ با نام ۱۰LPP روانه بازار می‌کند. سامسونگ برای ساخت این فناوری از روش FoPLP استفاده می‌کند. این فناوری به سامسونگ اجازه می‌دهد که چیپست‌ها را باریک‌تر بسازد.

نوشته سامسونگ تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری را آغاز کرد اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.

استفاده سامسونگ از تکنولوژی جدید در ساخت پردازنده‌ها برای رقابت با TSMC

/در , , , , , , , /توسط

سامسونگ برای اینکه به اپل نشان دهد که دست کمی از TSMC ندارد، از تکنولوژی جدیدی استفاده می‌کند که برای گوشی‌های هوشمند بعدی بسیار مفید خواهد بود.

تکنولوژیی که سامسونگ استفاده می‌کند، به اختصار FoWLP نامیده می‌شود. این تکنولوژی به سازندگان اجازه می‌دهد که ضخامت اسمارت‌فون‌ها را کاهش دهند. FoWLP، چیپست‌ها را ۳۰ درصد بهینه می‌کند و توان آن را دارد تا ضخامت موبایل را ۰.۳ میلی‌متر کاهش دارد.

اخبار حاکی از آن است که اپل، TSMC را به عنوان تامین‌کننده اصلی چیپست‌های آیفون ۷ در نظر گرفته است. چیپست‌های آیفون ۷ با استفاده از فناوری ۱۰ نانومتری FinFET ساخته می‌شوند. بنظر نمی‌رسد که بهبود فرایند ساخت سامسونگ به این شرکت کمک چندانی کند، اما ممکن است اپل برای پایین آوردن قیمت و بهبود همکاری‌های آینده، با سامسونگ نیز وارد مذاکره شود، همان‌کاری که با اینتل و کوالکام انجام داد.

نوشته استفاده سامسونگ از تکنولوژی جدید در ساخت پردازنده‌ها برای رقابت با TSMC اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.

احتمال عرضه سامسونگ گلکسی S8 با نمایشگر ۴K و دوربین دوگانه

/در , , , , , /توسط

تا به‌حال اخبار زیادی از گلکسی S8 منتشر نشده است. اما کم‌کم با فاصله گرفتن از معرفی پرچمداران پیشین، اخبار بیشتری می‌شنویم.

جدیدترین اخبار حاکی از آن است که گلکسی S8 دارای دوربین دوگانه است. این دوربین توسط خود سامسونگ ساخته می‌شود. با فراگیرشدن واقعیت مجازی، انتظار می‌رود که سامسونگ، گلکسی S8 را با یک نمایشگر ۴K عرضه کند. اگر این خبر محقق شود، انتظار می‌رود که مصرف باتری این گوشی به‌شدت افزایش یابد. در نتیجه، سامسونگ باید به فکر باتری قدرتمندتری برای پرچمدار خود باشد.

گلکسی S8 ممکن است به چیپست اسنپدراگون ۸۳۰ مجهز باشد. این چیپست با استفاده از فناوری ۱۰ نانومتری FinFET ساخته می‌شود که علاوه بر قدرت بیشتر، مصرف انرژی کمتری نیز دارد.

هنوز خبری مبتنی بر نگهداشتن استاندارد IP68 برای ضد آب و ضد گرد و غبار بودن این گوشی منتشر نشده است. برای تایید این اخبار زمان زیادی در پیش داریم، چون تا رونمایی از این گوشی چندین ماه باقی است، اما با توجه به روند پیشرفت تکنولوژی، وجود همچنین امکاناتی در پرچمداران چندان دور از ذهن نیست.

نوشته احتمال عرضه سامسونگ گلکسی S8 با نمایشگر ۴K و دوربین دوگانه اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.