سامسونگ یک میلیون چیپ حافظه DRAM با فناوری EUV فروخته است

سامسونگ اعلام کرد که یک میلیون چیپ حافظه D1X DDR4 با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری EUV عرضه کرده است و قصد دارد تولید این نوع چیپ‌ها را در سال آینده نیز ادامه دهد. این ماژول‌ها در داخل رایانه‌‌ها و سرورها مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

توسعه این چیپ‌ حافظه، سامسونگ را تبدیل به اولین سازنده‌ای می‌کند که از پروسه EUV در ساخت چیپ‌های DRAM استفاده می‌کند و توانسته بر چالش‌های قبلی تولید آن فایق آید.

سامسونگ تصمیم دارد در ماه‌های آینده از این فناوری برای تولید چیپ‌های DRAM بزرگ‌مقیاس نیز بهره بگیرد. این شرکت همچنین خودش را برای افتتاح دومین خط تولید چیپ در کارخانه Pyeongtaek در کره جنوبی آماده می‌کند تا بتواند جوابگوی تقاضای روزافزون برای چیپ‌های حافظه DRAM با فناوری EUV باشد.

نوشته سامسونگ یک میلیون چیپ حافظه DRAM با فناوری EUV فروخته است اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

سونی به دلیل محدودیت‌های حافظه DRAM از تولید دوربین بدون آینه جدید صرف‌نظر می‌کند

چنان‌چه شما منتظر عرضه یک دوربین بدون آینه جدید توسط شرکت سونی هستید؛ در این‌صورت احتمالا از شنیدن اخبار اخیرا منتشر شده مایوس خواهید شد. بر اساس گزارش جدید نشریه بلومبرگ به‌نظر می‌رسد که کمپانی ژاپنی احتمالا کلیه برنامه‌های خود برای عرضه یک دوربین بدون آینه جدید را به حالت تعلیق در آورده است. این گزارش ادعا می‌کند که سونی با توجه به محدودیت‌های تامین حافظه DRAM تصمیم گرفته تا تمرکز خود را بر روی توسعه کنسول آینده پلی‌استیشن 5 معطوف نماید.

بر اساس این گزارش شرکت سونی با توجه به محدودیت‌های تامین حافظه‌های DRAM، کلیه برنامه‌های خود برای توسعه یک دوربین بدون آینه جدید طی سال جاری را تعلیق نموده است. در عوض کمپانی بر روی عرضه کنسول پلی‌استیشن 5 تمرکز خواهد کرد. با این‌حال سونی در خصوص قیمت‌گذاری محصول خود کماکان مخفی‌کاری می‌کند.

گزارش مذکور می‌افزاید: “اطمینان یافتن از تامین مطمئن حافظه‌های فلش DRAM و NAND بزرگ‌ترین چالش پیش روی سونی به‌شمار می‌رود. به گفته منابع نزدیک به واحدهای عملیاتی سونی، تولیدکنندگان اسمارت‌فون برای دستگاه‌های نسل پنجمی خود از این حافظه‌ها بهره خواهند برد؛ پدیده‌ای که موجب افزایش میزان تقاضا در بازار خواهد شد.” همان‌طور که پیش‌تر گفته شد؛ این گزارش به لغو عرضه احتمالی یک دوربین بدون آینه جدید هیچ‌گونه اشاره‌ای نکرده است.

سونی طیف بسیار گسترده‌ای از دوربین‌های بدون آینه از مدل‌های اقتصادی گرفته تا نمونه‌های فول فریم پیشرفته‌تر برای کاربران حرفه‌ای را در اختیار دارد. لذا تنها بایستی منتظر بمانیم و ببینیم که کدام مدل‌ها به منظور بهره‌مندی از امکانات بیش‌تر به‌روزرسانی شده و عرضه کدام مدل‌ها احتمالا منتفی خواهد شد. همچنین در گزارش مذکور پیرامون تصمیم احتمالی سونی برای ارتقا سطح تولید دوربین‌های خود به حد معمول نیز هیچ‌گونه توضیحی ارایه نشده است.

نوشته سونی به دلیل محدودیت‌های حافظه DRAM از تولید دوربین بدون آینه جدید صرف‌نظر می‌کند اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

سامسونگ نخستین حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

1470751069_samsung-chip_story سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

سامسونگ اعلام کرده که نخستین نمونه صنعتی حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را در رده تولیدات ۱۰ نانومتری توسعه داده است. سخت‌افزار جدید به ساخت حافظه ۸ گیگابایتی LPDDR4 منتهی شد؛ سخت‌افزاری که تولید انبوه آن از سال ۲۰۱۴ آغاز شده است. تراشه جدید، تراز کیفی انتقال داده را به LPDDR5 ارتقا می‌دهد و با اپلیکیشن‌های موبایلی مجهز به هوش مصنوعی سازگاری بیش‌تری خواهد داشت. طی ماه دسامبر سال ۲۰۱۷ این تراشه در حافظه ۱۰ نانومتری DRAM از نوع GDDR6 با ظرفیت ۱۶ گیگابایت به‌کار گرفته شد و در فوریه ۲۰۱۸ نیز شاهد حضور آن در حافظه ممتاز ۱۶ گیگابایتی DRAM از نوع DDR5 بودیم.

1470751069_samsung-chip_story سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

جینمن هان، معاون ارشد واحد برنامه‌ریزی و مهندسی اپلیکیشن محصولات حافظه در سامسونگ الکترونیکس در توضیح فرآیند توسعه می‌گوید:

“توسعه حافظه ۸ گیگابایتی LPDDR5 نمایانگر گامی بزرگ به سوی ایده حافظه‌های موبایلی با مصرف انرژی پایین است. ما به فرآیند توسعه نسل بعدی حافظه‌های DRAM رده ۱۰ نانومتری خود ادامه خواهیم داد و حرکت به سوی استفاده مناسب‌تر از حافظه‌های ممتاز در سراسر جهان را تسریع خواهیم کرد.”

سخت‌افزار جدید از نرخ تبادل داده ۶۴۰۰ مگابیت بر ثانیه برخوردار است که ۱.۵ برابر سریع‌تر از تراشه‌های DRAM موبایلی به‌کارگرفته شده در گوشی‌های پرچم‌دار امروزی است. به عنوان مثالی برای توضیح سرعت این حافظه‌ها می‌توان گفت که تراشه جدید قادر به انتقال داده‌هایی با حجم ۵۱.۲ گیگابایت یا ۱۴ ویدیو فول اچ‌دی در مدت زمان تنها ۱ ثانیه است. در کنار این ارتقا سرعت شاهد کاهش میزان مصرف انرژی توسط این تراشه خواهیم بود.

Samsung-LPDDR5-DRAM-e1531893483960 سامسونگ نخستین حافظه 8 گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد

به گفته سامسونگ، سخت‌افزار جدید با توجه به سرعت عملکرد پردازنده در اپلیکیشن‌های مربوطه به هنگام فعال بودن آن‌ها و با هدف کاهش ولتاژ کاری، مهندسی شده است. بعلاوه برای کاهش میزان انرژی مصرفی به نصف میزان تراشه‌های DRAM فعلی از نوع LPDDR4X، حالت خواب عمیق نیز به سخت‌افزار جدید افزوده شده است.

به‌طور کلی دستگاه‌های مجهز به این تراشه‌ها شاهد ارتقا سرعت و کاهش میزان مصرف انرژی تا سقف ۳۰ درصد خواهند بود؛ بدین معنا که طول عمر باتری شما افزایش پیدا می‌کند. سامسونگ هنوز زمان تولید انبوه تراشه‌های حافظه جدید خود را اعلام نکرده است.

نوشته سامسونگ نخستین حافظه ۸ گیگابایتی DRAM از نوع LPDDR5 را معرفی کرد اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

سامسونگ و تولید DRAM پانزده نانومتری از نیمه دوم سال ۲۰۱۷

سامسونگ و تولید DRAM پانزده نانومتری از نیمه دوم سال ۲۰۱۷

سامسونگ اخیرا گزارش مالی خود را منتشر کرد. این گزارش نشان از تاثیر فاجعه گلکسی نوت ۷ بر اوضاع مالی این شرکت داشت. اما هنوز نمی‌توان از تاثیر نوت ۷ بر عملکرد این غول کره‌ای سخن راند. سامسونگ همچنین از بزرگترین سازندگان چیپ‌های حافظه بوده و همیشه سعی می‌کند که چیپ‌های کوچکتری در اختیار مشتریان خود قرار دهد. چیپ‌های کوچکتر مصرف انرژی کمتری نیز دارند.

بر اساس گزارش موسسه تحقیقاتی IHS، سامسونگ ۴۷ درصد بازار DRAM را در اختیار دارد، اما بسیاری از رقبای سامسونگ از معماری ۲۰ نانومتری استفاده می‌کنند. سامسونگ تقریبا ۱۸ ماه ار رقبای خود جلوتر است. ۸۰ درصد DRAM‌های سامسونگ از معماری ۲۰ نانومتری استفاده کرده و بقیه از معماری ۱۸ نانومتری استفاده می‌کنند. اما بلندپروازی سامسونگ تمامی ندارد.

سامسونگ قصد دارد تولید انبوه DRAM‌های ۱۵ و ۱۶ نانومتری را از نیمه دوم سال ۲۰۱۷ شروع کند. همچنین قصد دارد که میزان سهم معماری ۱۸ نانومتری را به ۳۰ تا ۴۰ درصد برساند. سامسونگ همچنین قصد رونمایی از DRAMهای ۱۰ نانومتری را دارد و با این برنامه، چیپ‌های ۱۰ نانومتری زودتر از انتظار روانه بازار می‌شوند.

گمان نمی‌رود که فاجعه گلکسی نوت ۷ تاثیری بر بخش نیمه‌هادی این شرکت داشته باشد. بسیاری از سازندگان اسمارت‌فون در دنیا از جمله اپل از قطعات ساخت سامسونگ استفاده می‌کنند. البته درآمد بخش قطعات نیز تقریبا ثابت مانده، چون کاربران زمان بیشتری از دستگاه‌های خود استفاده می‌کنند.

نوشته سامسونگ و تولید DRAM پانزده نانومتری از نیمه دوم سال ۲۰۱۷ اولین بار در پدیدار شد.

آیفون ۷ با ۳ گیگابایت رم در راه است

آیفون ۷ با ۳ گیگابایت رم در راه است

برای بسیاری از افراد مقدار رم معیاری مهم برای خرید گوشی است. این افراد باید خوشحال باشند چون اپل تصمیم گرفته که مقدار رم آیفون را افزایش دهد.

گزارش‌های منتشرشده نشان می‌دهد که میزان رم آیفون ۷ به ۳ گیگابایت می‌رسد. این افزایش، باعث می‌شود که تقاضا برای DRAM شرکت‌هایی همچون SK Hynix و Micro Technology افزایش پیدا کند. این گزارش می‌گوید:

افزایش ظرفیت حافظه‌ درونی اسمارت‌فون‌های آینده، شامل آیفون، تقاضا برای حافظه را بالا می‌برد. ظرفیت حافظه‌های DRAM آیفون از ۲ گیگابایت به ۳ گیگابایت افزایش یافته و گوشی‌های اندرویدی شاهد افزایش از ۴ گیگابایت به ۶ گیگابایت خواهند بود.

صنعت چیپ‌های حافظه خود را برای افزایش قیمت آماده می‌کند. در نیمه اول سال ۲۰۱۶، سه تولیدکننده برتر چیپ‌های حافظه، سامسونگ، SK Hynix و Micron Technology با کاهش تولید باعث افزایش قیمت چیپ‌های DRAM شدند. حال که عرضه و تقاضا تعادل پیدا کرده، قیمت نیز افزایش یافته است.

تقاضای زیاد برای DRAM باعث شده که تقاضای بخش‌های دیگر مانند تلویزیون‌های LCD برای حافظه بالا رفته و رشد قدرتمند DRAM تا دو ماه دیگر ادامه داشته باشد.

نوشته آیفون ۷ با ۳ گیگابایت رم در راه است اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.

محققان IBM به پیشرفت مهمی در حافظه‌ها دست یافتند

برای اولین بار محققان IBM توانستند به ازای هر سلول ۳ بیت داده را با استفاده از تکنولوژی جدید با نام حافظه تغییر فاز (PCM) ذخیره کنند.

چشم‌انداز حافظه‌های کنونی از DRAM تا هارد دیسک و فلش گسترش یافته است. اما در چند سال گذشته، PCM به دلیل قابلیت خواندن/نوشتن، استقامت، ثبات و حجم، مورد توجه قرار گرفته‌ است. به عنوان مثال،‌ PCM بر خلاف DRAM با قطع برق اطلاعات خود را از دست نمی‌دهد. این تکنولوژی می‌تواند ۱۰ میلیون چرخه نوشتن داشته باشد! در مقام مقایسه، فلش مموری‌ها چرخه نوشتن ۳۰۰۰ بار دارند!

این پیشرفت می‌تواند حافظه سریع و آسان برای رشد نمایی داده موبایل‌ها و اینترنت اشیا را فراهم کند.

محققان IBM، این تکنولوژی را در ترکیب با حافظه‌های فلش بسیار مناسب می‌دانند. به عنوان مثال، سیستم عامل موبایل‌ها می‌تواند روی PCM ذخیره شود و به گوشی این اجازه را دهد که در عرض چند ثانیه شروع شود. در بخش تجاری می‌توان از این تکنولوژی برای ثبت اطلاعات که به زمان حساس هستند، مانند تراکنش‌های مالی، استفاده کرد.

PCM چگونه کار می‌کند؟ مواد PCM دارای دوحالت پایدار هستند: حالت بدون شکل و حالت کریستالی. حالت کریستالی دارای هدایت الکتریکی بالا و حالت بدون شکل، دارای هدایت الکتریکی پایین است. برای اینکه یک بیت در یک سلول PCM نوشته شود، می‌توان صفر را طوری برنامه‌ریزی کرد که روی حالت بی‌شکل نوشته و یکی روی حالت کریستالی، و یا کل این فرایند بر عکس می‌تواند باشد. پس می‌توان با یک ولتاژ کم، بیت را فراخوانی کرد.

محققان پیش از این توانسته بودند نشان دهند که بر روی هر سلول PCM می‌توان یک بیت ذخیره کرد. اما کار مهم محققان IBM این است که توانستند بر روی هر سلول PCM در دمای بالا و پس از یک میلیون چرخه، ۳ بیت را ذخیره کنند. دکتر هریس پوزودیس، نویسنده مقاله و رییس بخش تحقیقات حافظه IBM در زوریخ،‌ می‌گوید:‌ «حافظه‌های IBM با ترکیب ویژگی‌های DRAM و فلش، جوابی به یکی از مهمترین چالش‌های صنعت است. ذخیره سه بیت در هر سلول بسیار مهم است چون قیمت این نوع حافظه‌ها را به‌شدت کاهش و به قیمت حافظه‌های فلش نزدیک می‌کند.»

نوشته محققان IBM به پیشرفت مهمی در حافظه‌ها دست یافتند اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.